英飞凌infineon OptiMOS™6 80V MOSFET在领先的AI服务器平台上树立了DC-DC功率转换效率的新标杆 随着图形处理单元（GPU）的性能不断提高，电路板级别的功耗要求也在提高。中间总线转换器（IBC）——例如将48V输入电压转换为较低的总线电压——对于人工智能数据中心的能源效率、功率密度和热性能变得越来越重要。 英飞凌infineon宣布，其采用紧凑型5x6 mm²双面冷却（DSC）封装的OptiMOS™6 80V功率MOSFET已集成到一家领先处理器制造商的AI服务器平台的IBC阶段。应用测试表明，与以前使用的解决方案相比，效率提高了约0.4%，相当于每千瓦负载节省了约4.3瓦。

每个元器件作用图解 控制信号PWR_EN=高 三极管Q1导通 R2下端等于接GND 因R1和R2的分压作用 MOS管M1的Vgs会有压差 Vgs=-Vin*R1/(R 1+R2) 即M1最终：会导通 当控制信号PWR_EN=低 三极管Q1不导通 R2下端相当于悬空 则，MOS管M1的栅极会被R1拉到和输入电压Vin一样 即Vgs=0 M1最终状态会：不导通 通过控制PWR_EN的高低 即控制PMOS场效应管 M1的导通和关断

英飞凌infineon CoolMOS™8超结MOSFET为LITEON服务器应用中的优化系统性能设定了新标准 英飞凌infineon向电源管理解决方案的领导者LITEON提供其600 V CoolMOS™8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，以在服务器应用中实现卓越的效率和可靠性。600V CoolMOS 8提供了一种一体化解决方案，改进了LITEON的新一代技术，适用于现有和即将推出的服务器应用程序设计。

CMOS数字集成电路组成：由CMOS 原因：互补金属氧化物半导体+电压控制的一种放大器件 CMOS场效应管数数字集成电路:是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片. 因为可读写的特性，在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。 BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入BIOS设置程序，方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS场效应管数设置。

在直流信号低频下，电路依然可正常工作，直流放大器电路也可以应用于伺服放大器。 增益和输出功率 直流伺服放大器电路的增益取决于 R8/R7，从电路中的各项值计算得到放大率 22。 如果输入信号大小为 1V ，则输出电压为 22V。 根据欧姆定律，可以计算出功率输出等于： 功率 = (ExE)/R = 22 x 22 / 8 = 66.5 W 负载为 8Ω，或 = 120 W 负载 4Ω 如果你想在负载 8Ω 时输出 100W 则需要输入不低于 1.28V 的输入信号 调整空闲电流 晶体管 Q5 是恒流电路，作为输出 mos场效应管的偏置，可以通过调节 VR1 调节，使电路稳定性更好，应谨慎选择 VR1。

微型无线话筒电路 组成：三极管+阻容+话筒头+微型纽扣电池 体积可以做到很小 发射距离可以达到30m左右，1.5v电池无线话筒 电路中，三极管与电感、电容组成高频振荡器，MIC输出的音频信号通过1μF的电容耦合直接对高频振荡器实现频率调制，改变三极管结电容。 10KΩ电阻是三极管的基极偏流电阻，制作中可根据三极管的工作电流大小，适当改变其阻值，电流大一些，发射距离会远一些，但电池消耗更快。

如果CMOS场效应管电路的负载（执行元件）是继电器，则电路必需具有较大的带负载才能。 如下图所示，为非门驱动一个分立元件的开关放大器件的接口电路。 a与b中三极管的集电极负载为继电器KA线圈 工作电流：lOOmA 晶体管β=25 需求4mA的基极电流。 这对与非门是个拉电流负载，如与非门不能提供此值的拉电流 那么，就要换成b电路。 变换电路:电阻Ri+二极管VD1+稳压管Vs 当与非门输出高电平常，VD1截止。 VS击穿，晶体管VT的基极电流由+15V电源经R1、VS和V1的发射结来提供，VT导通，继电器KA吸合。 当与非门输出低电1平常，灌电流经+15V电源经R1、VDi流入与非门，这个电流只要几毫安，可防止冈拉电流过大而引起输出高电平的降落。此时VS截止，VT截止，KA释放。

并不再起作用。 0压降实现主副电源自动切换 前面电路加了D1二极管，很难实现0压降 原因：D1压降最小也需要0.3V。 用MOS管低导通RDS（on）特性提高电路效率 如下所示 Jpg 用3个MOS管作设计电路 VIN=3.3V，Q1的NMOS导通，接着拉低Q3 PMOS栅极， Q3开始导通。 Q2 MOS的G-S间电压等于Q3 PMOS的导通压降，大概为几十mV Q2 MOS管关闭，VIN2断开，VOUT由VIN1进行供电，此时VOUT=3.3V

英飞凌infineon推出全球首款集成肖特基二极管的工业氮化镓（GaN）晶体管产品系列,集成肖特基二极管的英飞凌CoolGaN™晶体管通过减少不希望的死区时间损失来提高电源系统的性能。从而进一步提高整体系统效率。此外，集成解决方案简化了功率级设计并降低了BOM成本。

脉冲式自动充电器电路图，此电路能自动控制电池的充电时间，防止过充电。 电路设有三种工作模式 先检测充电电池的电压，如需充电，则启动充电电路； 充电一段时间后，开始放电； 放电结束后再检测。 当充电电压符合要求时，停止充电。