3008038871
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0755-83212595
| Parametrics | IRFS7530-7P |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 1.85 |
| ID (@25°C) max | 240 A |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Mounting | SMD |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot max | 375 W |
| Package | D2PAK 7pin (TO-263 7pin) |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 236 nC |
| Qgd | 73 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 1.4 mΩ |
| RthJC max | 0.4 K/W |
| Tj max | 175 °C |
| VDS max | 60 V |
| VGS(th) min max | 2.9 V 2.1 V 3.7 V |
| VGS max | 20 V |
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package
优势
针对分销合作伙伴提供的最广泛的可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品鉴定
针对10 V栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
针对低于100 kHz的开关应用优化的硅
与上一代硅相比，更柔软的体二极管
行业标准表面安装电源包
与D2PAK（相同晶粒尺寸）相比，额定电流更高（提高23%）
高载流能力封装（高达240 A，取决于芯片尺寸）
