| Parametrics | IR2113S |
|---|---|
| Channels | 2 |
| Configuration | High-side and low-side |
| Input Vcc min max | 10 V 20 V |
| Isolation Type | Functional levelshift |
| Output Current (Source) | 2.5 A |
| Output Current (Sink) | 2.5 A |
| Turn Off Propagation Delay | 94 ns |
| Turn On Propagation Delay | 120 ns |
| VBS UVLO (On) | 8.6 V |
| VBS UVLO (Off) | 8.2 V |
| VCC UVLO (On) | 8.5 V |
| VCC UVLO (Off) | 8.2 V |
| Voltage Class | 600 V |
600 V高压侧和低压侧栅极驱动器IC，带关闭
八个驱动器™ 在用于IGBT和MOSFET的16引线SOICWB封装中具有典型的2.5 A源极和2.5 A漏极电流的600 V高侧和低侧栅极驱动器IC。也可提供14导联PDIP。
功能概述
为引导操作设计的浮动通道
完全工作至+600 V
可完全运行至+500 V版本（IR2110）
耐受负瞬态电压
dV/dt免疫
栅极驱动电源范围从10到20 V
两个通道的欠压锁定
3.3 V逻辑兼容
3.3 V至20 V的独立逻辑电源范围
逻辑和电源接地+/-5 V偏移
带下拉的CMOS施密特触发输入
逐周期边缘触发关闭逻辑
两个信道的匹配传播延迟
输出与输入同相
