| Parametrics | IPD80R1K4P7 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.4 |
| ID (@25°C) max | 4 A |
| ID max | 4 A |
| IDpuls max | 8.9 A |
| Mounting | SMT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 32 W |
| Package | DPAK (TO-252) |
| Pin Count | 3 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 10 nC |
| QG | 10 nC |
| Qgd | 5 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 1400 mΩ |
| RDS (on) max | 1400 mΩ |
| Rth | 3.9 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 3.9 K/W |
| Special Features | price/perance |
| VDS max | 800 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2.5 V 3.5 V |
效率和热性能的新基准
800V冷却MOS™ P7超级结MOSFET系列完全满足市场在性能、易用性和性价比方面的需求，非常适合低功率SMPS应用。它主要专注于反激式应用，包括适配器和充电器、LED驱动器、音频SMPS、AUX和工业电源。
与前代产品以及在典型反激式应用中测试的竞争对手部件相比，该新产品系列提供高达0.6%的效率增益和2°C至8°C的MOSFET温度。它还通过更低的开关损耗和更好的DPAK R DS（on）产品实现了更高的功率密度设计。总的来说，它可以帮助客户节省BOM成本并减少组装工作量。
功能概述
一流的FOM R DS（on）*E oss；减少Qg、C iss和C oss
同类最佳DPAK R DS（开）280米Ω
3V中的最佳V（GS）th和±0.5V的最小V（GS）th变化
集成齐纳二极管ESD保护达到2级（HBM）
一流的质量和可靠性
完全优化的投资组合
优势
与CoolMOS相比，效率增益为0.1%至0.6%，MOSFET温度降低2°C至8°C™ C3
实现更高的功率密度设计、BOM节约和更低的组装成本
易于驾驶和设计
通过减少ESD相关故障，提高生产效率
生产问题减少，现场回报减少
易于选择合适的零件，可对设计进行微调
应用
适配器
发光二极管
音频
工业开关电源
AUX电源
