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  • CMOS场效应管数字隔离器优势-竟业电子 CMOS场效应管数字隔离器优势-竟业电子
    基于CMOS效应管的数字隔离器,提供高CMTI性能,高可靠性,更长的工作寿命。 如Si84xx CMOS场效应管数字隔离器系列满足通用CMTI规格25kV/µs,新一代隔离元器件预计将比现有产品的性能水平提高2倍。 电磁场性能 CMOS效应管数字隔离器优于其他隔离技术。 如Si84xx隔离器,目前市场最高EMI耐受性。 大于300V/m电场抗扰度 大于1000A/m磁场抗扰度 具有最佳共模噪声抑制能力:因数字隔离器通过用差分信号在隔离栅中进行数据传输,成对的窄通带滤波。

    时间:2021/8/3键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管与晶体管温度影响及硅利用率比较-竟业电子 MOS场效应管与晶体管温度影响及硅利用率比较-竟业电子
    MOS场效应管导通电阻受温度影响 功率MOS场效应管开关,温度升高,导通电阻上升。 操作温度范围内 温度上升,MOS场效应管的Rds(ON)以2倍正斜率上升; 如下图所示 约0.64%/度,驱动条件一定 MOS场效应管:通过降低开启门限电压来补偿; 晶体管:温度上升,增益迅速上升,Vce(sat)变化小,硅利用率: MOS场效应管,导通前,需横向开拓电流通路,要半导体硅晶片更多。 BIPOLAR TRANSISTOR最优化,用电流垂直流动

    时间:2021/7/15键词:

  • MOS场效应管击穿电压分析-MOS场效应管应用-竟业电子 MOS场效应管击穿电压分析-MOS场效应管应用-竟业电子
    击穿电压 80年代末MOS场效应管BVDSS漏源击穿电压在400V~1000V已到极至,随着Rds(ON)改善,大封装靠硅晶片面积增大达到效果, PLANER缺点:Rds(ON)迅速上升,Rds(ON)∝BV2.6,功耗增大,MOS场效应管高压发展已经瓶颈。 双极性晶体管 用少子PLANER导电,MOS场效应管易做到高压,饱和开关时,集电极区阻抗电导调制效应,Rce(sat)降低,但是MOS场效应管并没有电导调制效应Rce(sat)∝BV2 。 如下图所示 ZETEX 3rd 晶体的Rce(on) vs BV

    时间:2021/7/13键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管开关模型分析-MOS场效应管应用-竟业电子 MOS场效应管开关模型分析-MOS场效应管应用-竟业电子
    MOS场效应管驱动器功耗: 1. MOS场效应管栅极电容充电和放电产生的功耗。 与MOS场效应管栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的,特别在很低的开关频率时。 2. MOS场效应管 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。 高电平时和低电平时的静态功耗。 3. MOS场效应管驱动器交越导通(穿通)电流产生的功耗。 MOS场效应管驱动器交越导通而产生的功耗,通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。

    时间:2021/7/8键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管功率开关栅级驱动器芯片损坏分析-竟业电子 MOS场效应管功率开关栅级驱动器芯片损坏分析-竟业电子
    栅级驱动器封装,对不同开关和不同测试条件,芯片有着相似损坏。 电压=750 V,试验IGBT爆炸+限流器件Rg+DZ损坏; 只看到引脚VDDA线焊位置附近小范围熔化,损坏阶段,栅级过电流通过内置P-MOS场效应管二极管流入 100 μF 电容,过电流,线焊附近区域熔化。 驱动器芯片没有进一步损坏,控制芯片也没有出现进一步的隔离损坏。试验:熔融区域,直接将150 V高压施加于驱动器芯片,控制芯片电隔离通过本次极端过载试验。 如上图1,试验8期间:损坏位置 ADuM4223 #1,输出芯片表面有一小块烧坏,隔离栅没有受损; 上图2,试验9期间:损坏位置ADuM4223 #2,极端电气过载时控制芯片没有损坏,隔离栅没有受损。

    时间:2021/7/6键词:MOS场效应管

  • 控制MOS场效应管损坏程度测试电路-MOS场效应管应用-竟业电子 控制MOS场效应管损坏程度测试电路-MOS场效应管应用-竟业电子
    MOS场效应管驱动器电气过载测试,即EOS测试; 因此建接近实际情况电路; 此电路含有应用于5 kW~20 kW逆变器的电容和电阻。 用2 W额定功率金属电阻应用于轴向型栅极电阻Rg。 用阻流二极管D1是为了不让电流从高压电路反向进入外部电源。 可反应出实际情况,要组成自举电路,浮动电源至少包括一个整流器即可, 电解电容块充电:是高压电源HV通过充电电阻Rch+开关S1的电路 实施EOS测试 控制输入VIA或VIB,用500μs开启信号; 开启信号通过微隔离传输,会造成短路,并损毁功率晶体管T1。 若在一定情况时,会出现晶体管封装爆炸。

    时间:2021/7/2键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管电流电压与米勒平台时间关系分析-竟业电子 MOS场效应管电流电压与米勒平台时间关系分析-竟业电子
    米勒平台时间,GS电容+Cgd电容+Id+Vd+驱动电流Igs+Layout回路大小+板级走线+MOS场效应管内部电感影响GS电流回路。 受影响即Vgs波形容易发生震荡。米勒电容Cgd大小,受漏极电压Vd影响 Vd电压越高,Cgd越大; Vd电压越低,Cgd越小; Vd电压间接影响GS电流 Vd电压高,受米勒电容影响越大。 高压MOS场效应管,Vd越大Id电流越小,即米勒电容大,DS电流小,导通后即容易震荡。 低压MOS场效应管,Vd电压低,米勒电容小,Id电流大,关断易震荡。

    时间:2021/7/1键词:MOS场效应管

  • 英飞凌infineon IRF3205S优势及参数-MOS场效应管知识-竟业电子 英飞凌infineon IRF3205S优势及参数-MOS场效应管知识-竟业电子
    英飞凌infineon MOS场效应管IRF3205S优势 宽SOA的平面单元结构 为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化 符合JEDEC标准的产品鉴定 硅优化应用开关低于100千赫 工业标准表面贴装电源组件 高载流能力封装(高达195A,取决于芯片尺寸) 能被波浪焊接的 D2-Pak封装中的55V单N沟道HEXFET功率MOSFET 为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化 符合JEDEC标准的产品鉴定 为10V栅极驱动电压优化(称为正常电平) 工业标准表面贴装电源组件 高载流能力封装(高达195A,取决于芯片尺寸) 能被波浪焊接的 英飞凌infineon MOS场效应管 IRF3205S参数   Datasheet下载

    时间:2021/6/30键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管在工业雪崩中作用及MOS场效应管元件物理-竟业电子 MOS场效应管在工业雪崩中作用及MOS场效应管元件物理-竟业电子
    MOS场效应管操作期间,漏电感存储能量。 若电感没有正确钳位,MOS场效应管关断时,过初级开关让漏电感通放电,或致雪崩操作,雪崩故障模式:功率半导体元件设计在有限时间内承受一定量雪崩电流,可达雪崩额定值。 功率 MOS场效应管元件物理 半导体元件一般都含物理设计固有寄生元件,MOS场效应管组件:电容器+电阻器+体二极管+ NPN序列(即BJT)

    时间:2021/6/28键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管二极管正向电压及功率耗散-竟业电子 MOS场效应管二极管正向电压及功率耗散-竟业电子
    MOS场效应管二极管VF正向电压在规定源电流下,产生体二极管最大正向压降。 如下图所示 p-n结:Tj=25 ℃ 或Tj=150 ℃ 二极管典型电流-电压(I-V)特性。 因金属层与p型硅间:接触电阻 > 金属层与n型硅间:接触电阻 P沟道MOS场效应管正向电压VF更高。 高压元件 即>100V最大正向电压=1.6V, 低压元件即<100V最大正向电压值=1.0V 功率耗散 表面温度=25℃ 重要:晶圆温度上升至最高允许值,所允许最大功率耗散。 功率耗散: Tjmax=150℃或175℃ 即元件pn结最高允许温度 元件结到壳热阻RthJC

    时间:2021/6/24键词:MOS场效应管

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