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  • 降低MOS场效应管栅极电阻Rg和寄生电感Lg要素及电路图-竟业电子 降低MOS场效应管栅极电阻Rg和寄生电感Lg要素及电路图-竟业电子
    MOS场效应管Rg 作用:为了降低MOS开关时振铃的发生, 降低开关时的振铃,采用计算选型Rg。 1.外部串联Rg,要在满足,基于减弱开关振铃要求的基础上尽可能的小, 2.PCB走线尽可能的粗。 MOS场效应管与驱动器距离要近,电流回路减小。 要降低Lg,PCB走线和器件布局很重要。

    时间:2022/7/1键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管具有驱动器源极引脚可提高导通速度-竟业电子 MOS场效应管具有驱动器源极引脚可提高导通速度-竟业电子
    MOS场效应管无驱动器源极引脚: 在导通时驱动电路网中包含VLSOURCE和VRG_EXT(I). 会减少导通工作所需芯片上电压VGS_INT,因此降低导通速度,MOS场效应管有驱动器源极引脚 ID流向→电源Power Source引脚,不流向驱动器源极并且不包含在驱动电路网中,VLSOURCE对VGS_INT无影响。

    时间:2022/6/30键词:MOS场效应管

  • mos场效应管dV/dt失效引起的原因-mos场效应管知识-竟业电子 mos场效应管dV/dt失效引起的原因-mos场效应管知识-竟业电子
    mos场效应管dV/dt失效 因mos场效应管关断,瞬态充电电流,流经寄生电容Cds→基极电阻RB,导致寄生双极晶体管的基极→发射极间产生电位差VBE,让寄生双极晶体管导通,产生短路,导致失效的现象。

    时间:2022/6/23键词:mos场效应管

  • SiC MOS场效应管寄生导通产生机理-MOS场效应管知识-竟业电子 SiC MOS场效应管寄生导通产生机理-MOS场效应管知识-竟业电子
    SiC MOS场效应管寄生导通产生机理 开通:门限值选择门极15V或18V,配置好载流能力或好的短路耐用性。 关断:保险的方法是负电压关断,有效的保证可靠关断,减少误触发的机率。

    时间:2022/6/22键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管应用于无源电压钳位 RCD 缓冲器-竟业电子 MOS场效应管应用于无源电压钳位 RCD 缓冲器-竟业电子
    MOS场效应管开路或关断,因电感磁通量要连续性,不可转移到副边的储存在漏电感中的磁通量,会立即切断漏电感电流,即高压尖峰跨过MOS场效应管的漏与源极。

    时间:2022/6/15键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管驱动电路参数计算-MOS场效应管知识-竟业电子 MOS场效应管驱动电路参数计算-MOS场效应管知识-竟业电子
    D1=快恢复二极管 减小关断损耗及关断时间 Rg1限制关断电流 R=mos管栅源极的下拉电阻 给mos场效应管栅极积累的电荷提供泄放回路。 mos场效应管栅极高输入阻抗的特性 干扰或静电,会导致MOS管误导通 因此R1作用:降低输入阻抗,值10k~几十k,Lp=驱动走线的杂散寄生电感 包括驱动IC引脚、MOS引脚、PCB走线的感抗,难确定精准值,取几十nH。

    时间:2022/6/14键词:MOS场效应管

  • 串联MOS场效应管替换继电器-MOS场效应管应用-竟业电子 串联MOS场效应管替换继电器-MOS场效应管应用-竟业电子
    两个MOS场效应管串联替换继电器,作为交流电路中的一个触点。2个IRF530可在100V的峰值电压下的电路中作负载切换。 IC1=一个不稳定振荡器 是建立在著名的555定时器上的,提供一个方波电压源驱动MOS场效应管对的栅极。 R1 R2=定时电容器C1提供充放电路径

    时间:2022/6/7键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管在应用中的要点-MOS场效应管知识-竟业电子 MOS场效应管在应用中的要点-MOS场效应管知识-竟业电子
    MOS场效应管的体内寄生二极管导通能力及反向恢复表现并不比普通二极管好,V(BR)DSS 的正温度,ID的负温度,雪崩能力IER/EAS的负温度,V(GS)th 的负温度系数特性漏极电位的快速上升有可能会发生栅极驱动的假触发现象 spurious-trigger

    时间:2022/6/2键词:MOS场效应管

  • 碳化硅MOS场效应管横截面及模型-竟业电子 碳化硅MOS场效应管横截面及模型-竟业电子
    建模一个适合BSIM模型的MOS场效应管通道。 该模型以物理为基础,通过亚阈值、弱反和强反准确地捕捉转换过程。 它具有很好的速度和收敛性 被应用于:仿真平台 如下图所示 典型的碳化硅MOS场效应管器件的横截面,需要包含由EPI区域的多晶硅重叠形成的门极到漏极的临界电容CGD。 电容器:高度非线性金属氧化物半导体(MOS)电容器。 电容的耗尽区域依赖于复杂的工艺参数 包括:掺杂分布,p阱dpw间的距离,外延层的厚度。

    时间:2022/5/25键词:MOS场效应管

  • 外部MOS场效应管 和电机负载半桥预驱动器电路图-竟业电子 外部MOS场效应管 和电机负载半桥预驱动器电路图-竟业电子
    半桥驱动器块具有多个可编程的上拉和下拉电流源,用于为外部 MOSFET 的门极充电。 外部MOS场效应管 和电机负载半桥预驱动器电路,如下图所示 半桥预驱动器比较简化,控制外部 MOS场效应管  和电机负载 橙色:可编程电流源,实现先进的压摆率控制。 快速导通,可分阶段增加HS1的上拉电流源,快速给门极充电,为电机负载提供可预测的开关行为。 精确的压摆率控制优势 赋高脉宽调制PWM频率,更严格最小和最大占空比,并管理功率损耗和减少电磁辐射。

    时间:2022/5/23键词:MOS场效应管

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