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  • MOS场效应管构成机械开关-MOS场效应管知识-竟业电子 MOS场效应管构成机械开关-MOS场效应管知识-竟业电子
    两个N沟道MOS场效应管背对背连接,阻断电路中两个方向电流的电路 必须选择合适的集成电路,即用于MOSFET的驱动器,或是包含MOSFET和驱动器的封装。 通常需要使用负载开关,可选的范围并不大。 在很多情况下,可使用热插拔控制器、电子保险丝、浪涌保护器、理想二极管和电源路径控制器,具体取决于应用和所需的额外监控功能。

    时间:2023/9/20键词:MOS场效应管

  • 电源路径中MOS场效应管监测充电放电电流电路图-竟业电子 电源路径中MOS场效应管监测充电放电电流电路图-竟业电子
    电池充电系统 关键:充电器本身+电量计 电量计:告电池指标 如:电池的充电状态SOC、剩余电量使用时间和电池充满所需时间。 电量计可以集成在主机端,或者集成在电池包中。集成在电池包中,电量计需要使用非易失性存储器来存储电池信息。 电源路径中的MOS场效应管监测充电/放电电流,保护电池免于遭受危险。

    时间:2023/9/1键词:MOS场效应管

  • 电源两级浪涌防护电路应用注意事项-竟业电子 电源两级浪涌防护电路应用注意事项-竟业电子
    电源模块体积小,在EMC要求比较高的场合,需要增加额外的浪涌防护电路,以提升系统EMC性能。如上图所示,提高输入级的浪涌防护能力,在外围增加了压敏电阻和TVS管。a与b目的:实现两级防护 但,可能适得其反。

    时间:2023/8/25键词:电源

  • OEM确保快充电池安全管理注意事项-电源管理知识-竟业电子 OEM确保快充电池安全管理注意事项-电源管理知识-竟业电子
    因快速充电期间的电流很高,OEM必须要确保安全充电。因此,作为整个电池管理的一部分,智能快速充电器必须能够监测多个重要参数。在根据电池制造商规格和建议监测电池温度和环境/室温的情况下,快速充电器可以确定何时降低充电电流和/或降低端电极电压,以确保电池安全,延长电池的使用寿命。

    时间:2023/8/24键词:电源管理

  • 电池的低功耗电流检测电路图-电源技术知识-竟业电子 电池的低功耗电流检测电路图-电源技术知识-竟业电子
    电池供电和隔离电子设备的出色之处在于:它可以在任何位置设置接地。在最方便的电路拓扑结构中,可在不丧失通用性的情况下检测电流,同时将终端放置在与本地接地相关的任何位置。 单极电流,如4 mA至20 mA的工业环路,可以用传统的低侧拓扑结构来安全检测与本地接地相关的电流。

    时间:2023/8/23键词:电源技术

  • SiC 电源开关应用于可再生能源系统的优势对比-竟业电子 SiC 电源开关应用于可再生能源系统的优势对比-竟业电子
    SiC 电源开关和 IGBT 的典型开关频率和功率级别 均可适用于 1kW 及以上的功率级别 SiC 电源开关比 IGBT传统硅电源开关,更有优势 1.电阻和电容更低,功率损耗低,效率提升。 2.开关速度快,开关损耗降低,率转换效率提升,能源产量更高,功率转换器输出提升。 可应用于光伏逆变器、储能系统,直流快充电源模块。

    时间:2023/8/18键词:电源开关

  • 电源开关转换减慢注意事项及优缺点-竟业电子 电源开关转换减慢注意事项及优缺点-竟业电子
    开关调节器,快速开与关的瞬变有好处 原因:降低开关模式电源中开关损耗。 在高开关频率,可提高开关调节器效率。 缺点 开关转换频率=20 MHz~200 MHz,快速增加干扰 开关模式电源解决方案:必在高频率范围内,在高效率和低干扰间 快速和慢速开关转换如下图所示

    时间:2023/8/16键词:电源

  • DC-DC转换器与负载点POL电源的距离影响-竟业电子 DC-DC转换器与负载点POL电源的距离影响-竟业电子
    DC-DC转换器为何要接近负载点POL电源 作用:提高电源轨电压精度+效率+动态响应 原因:POL转换器受益应用高性能CPU、SoC和FPGA,对功率级要求高 汽车高级驾驶员辅助系统ADAS,雷达激光雷达和视觉系统 它们用传感器数增加,这样可能要更快数据处理,以最小延迟检测和跟踪周围的物体。 在数字系统,用高电流,低电压,电源和负载的距离要缩短。

    时间:2023/8/15键词:电源

  • IGBT单管1in1模块内部实际等效电路图-竟业电子 IGBT单管1in1模块内部实际等效电路图-竟业电子
    单管 1 in1模块 单管模块组成:几个IGBT并联 如,它能达到一定的所要的电流规格 即可把它视为大电流规格的IGBT单管。 IGBT管芯面积:因机械强度和热阻影响,它的面积不能太大 大电流规格IGBT:需多个管芯装配到一块金属基板上。主发射极连接到主电路中 副发射极即第二发射极连接到栅极驱动电路

    时间:2023/8/11键词:IGBT

  • 在使用SiC MOS场效应管时低传播延迟很重要-MOS场效应管知识-竟业电子 在使用SiC MOS场效应管时低传播延迟很重要-MOS场效应管知识-竟业电子
    低传播延迟 在高频电源系统中很重要 因SiC MOS场效应管等WBG器件,可用高频电源系统。 在这些系统中,更高的频率能够最大程度地减少滤波组件,从而最大程度地减小系统,因此能够实现更高的功率密度。 更高的频率即有更高的开关损耗,要降低损耗。 传播延迟是栅极驱动器的关键参数之一 它可能会影响高频系统的损耗和安全性

    时间:2023/7/26键词:MOS场效应管

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