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  • 反型型MOS变容管与积累型MOS变容管分析-竟业电子 反型型MOS变容管与积累型MOS变容管分析-竟业电子
    反型与积累型MOS变容管 普通MOS变容管调谐特性单调。 获得单调的调谐特性方法如下: 确保晶体管在VG变化范围大的情况下不进入积累区,可通过将衬底与栅源结断开,与电路中的最高直流电压短接来完成。

    时间:2022/1/21键词:MOS

  • CMOS线性调整器电路组成优势分析-竟业电子 CMOS线性调整器电路组成优势分析-竟业电子
    CMOS线性调整器内部电路组成: 输出用P沟道MOS晶体管+误差放大器+基准电压源+预先调整输出电压用电阻+定电流限制或限流电路+过热停机功能 定电流限制或限流电路:即foldback电路,作用保护功能。 IC内部基准电压源:用CMOS工艺,它输出电压的温度特性与双极线性调整器相比稍有逊色; 高速型,低消耗电流型,低ESR电容对应,能改变各自内部的相位补偿或电路构成。 低消耗电流型组成:2级阶放大器; 高速型组成:3级放大器,它满足低消耗电流和高速瞬态响应; 在初级放大器和用于输出的P沟道MOS晶体管之间加入缓冲用放大器,能高速驱动输出用P沟道MOS晶体管的门极容量。 决定输出电压:R1和R2; 决定限定电流值:R3和R4。

    时间:2022/1/18键词:MOS管

  • MOS场效应管主要参数详细说明-MOS场效应管知识-竟业电子 MOS场效应管主要参数详细说明-MOS场效应管知识-竟业电子
    MOS场效应管主要参数详细说明 最大漏极功耗 最大漏极功耗PD=UDSID,相当于三极管的PCM。 饱和漏极电流IDSS  JFET 在UGS =0,MOS场效应管发生预夹断时的漏极电流 IDSS型场效应管所能输出的最大电流 结型场效应管:RGS > 107Ω   MOS管:RGS>109~1015Ω 跨导Gm 漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比,即gm=△ID/△UGS。 它是衡量MOS场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。 gm相当于三极管的hFE。 开启电压UT  MOSFET 通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压,用UGS(th)或UT表示。 开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。

    时间:2022/1/17键词:MOS场效应管

  • 射频功率放大器放大链应用MOS场效应管-竟业电子 射频功率放大器放大链应用MOS场效应管-竟业电子
    脉冲功率放大器电路设计中 宽频带大功率脉冲放大器模块要求: 1.工作频段 > 4个倍频程,输出功率大,对谐波和杂波有较高的抑制能力; 2.因谐波是在工作频带内:放大器模块要具有很高的线性度。 射频功率放大器放大链采用三级场效应管,全部选用MOS场效应管。 每级放大均采用AB类功率放大模式,且均选用推挽式,以保证功率放大器模块可以宽带工作。 供电电源通常使用正电压比较方便,选用增强型MOS场效应管。 为了展宽频带和输出大功率,采用传输线宽带匹配技术和反馈电路。 射频功率放大器输出要求:为大功率脉冲式发射, 因此第一、二级使用的MOS场效应管应具备快速开关切换,以保证脉冲调制信号的下降沿和上升沿完好,减少杂波和谐波的干扰。 第一、二级功率放大选用MOS场效应管为IRF510和IRF530。

    时间:2022/1/6键词:MOS场效应管

  • 电源开机电路中P沟道MOS场效应管工作原理-竟业电子 电源开机电路中P沟道MOS场效应管工作原理-竟业电子
    2606主控电路中的电源开机电路中常遇到P沟道MOS管。SI2305即P沟道MOS管,因有时经常检查此部份故障,无从下手,即要先知道它的工作原理。 上电路中电池的正电通过,开关S1接到场效应管Q1的2脚源极,因Q1是一个P沟道MOS管,它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压,所以不能通电,电压不能继续通过,3v稳压IC输入脚得不到电压,即不能工作也不能开机。

    时间:2021/12/31键词:MOS场效应管

  • SGT MOS管转移特性-SGT-MOS结构-竟业电子 SGT MOS管转移特性-SGT-MOS结构-竟业电子
    SGT即split-gate-trench,分裂栅极沟槽, 结构:因具有电荷耦合效应,在传统沟槽mosfet垂直耗尽p-body/n-epi结之上引入水平耗尽,将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布。 用相等掺杂浓度外延,元件可获得更高击穿电压。 广泛应用于:中低压功率器件。 MOS管第一个深沟槽Deep Trench作为体内场板,在反向电压下平衡漂移区电荷,可以降低漂移区的电阻率,从而降低器件的比导通电阻RSP)和栅极电荷Qg。

    时间:2021/12/27键词:MOS管

  • HC-MOS管静动态功耗及内部电容瞬态耗散-竟业电子 HC-MOS管静动态功耗及内部电容瞬态耗散-竟业电子
    HC-MOS管的静态功耗 理想 不切换CMOS集成电路,无从VCC到地的直流电流路径,完全不吸收任何电源电流。 但,半导体固有特性,少量泄漏电流流经集成电路上所有反向偏置的二极管结。 这些泄漏:因二极管区域中热生成的载流子引起的。 随着二极管温度的升高,无用的电荷载流子的数量也会增加,泄漏电流会增加。 所有CMOS管元件的漏电流指定为ICC。 静态:当所有输入均保持在VCC或接地,所有输出均断开,从VCC流向地面的DC电流。

    时间:2021/12/21键词:MOS管

  • cmos反相器电路图原理及特点优势-竟业电子 cmos反相器电路图原理及特点优势-竟业电子
    CMOS反相器组成:一个P沟道增强型MOS管+一个N沟道增强型MOS管串联 P沟道管=负载管 N沟道管=输入管 特点:降低功耗; 原因:两种逻辑状态中,两个晶体管中的一个总是截止,处理速率提高,CMOS反相器低电阻。 优势: 1.电源利用率高。 如:VOH=VDD,阈值电压随VDD变化,允许VDD有较宽的变化范围,一般为+3~+18V。 2.输入阻抗高,带负载能力强。 3.静态功耗极低。 如:在稳定时,CMOS反相器工作在工作区Ⅰ和工作区Ⅴ,总有一个MOS管处于截止状态,流过的电流为极小的漏电流。

    时间:2021/12/15键词:mos

  • 负载开关替换分立MOS场效应管-竟业电子 负载开关替换分立MOS场效应管-竟业电子
    切换负载最常见方式:MOS场效应管。 它的四周围绕着众多分立电阻器与电容器以及用于控制功率MOS场效应管的双极结型晶体管(BJT)/第二个场效应晶体管围绕的功率MOS场效应管。 但应用最多的是:全面集成负载开关。 负载开关在系统中位置 利用分立MOS场效应管电路或集成负载开关便能完成这种功率切换,如下图:

    时间:2021/12/13键词:MOS场效应管

  • 场效应管驱动电路与可控硅驱动电路本质上存在差异-竟业电子 场效应管驱动电路与可控硅驱动电路本质上存在差异-竟业电子
    场效应管和可控硅驱动电路在本质上存在差异; 场效应管:结型场效应管+绝缘栅型场效应管; 可控硅:单向可控硅+双向可控硅 可控硅即晶闸管:单向晶闸管+双向晶闸管 绝缘栅型场效应管:即MOS管 场效应管与三极管混合叫IGBT即门控管。 IGBT驱动电路与场效应管驱动电路类似,此驱动归于电压驱动。 实际运用:电力改换或功率输出 最佳选用脉宽调制PWM信号操控,其输入到栅极方波上升沿峻峭,即图腾柱输出。

    时间:2021/12/7键词:场效应管

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