NPN继电器开关电路，当由于晶体管的开关作用向线圈供电时 由于欧姆定律（I = V / R）所定义的线圈直流电阻 将流过最大电流，其中一些电能存储在继电器线圈的磁场内 当晶体管切换为“ OFF”时，流经继电器线圈的电流减小，磁场消失，磁场中存储的能量必须到达某个位置，并且在线圈上试图保持继电器线圈中的电流时会在线圈两端产生反向电压，此动作会在继电器线圈上产生一个高电压尖峰，如果堆积会损坏开关NPN晶体管。

基本上有内部会集成自举电路，可提供高于电源电压的驱动电压，实现迅速开关MOS管， 如DGD0506，IC供电电源电压是15V，可提供高达50V的驱动电压输出。 VB和VS引脚间的电容，即自举电容，是完成升压的核心器件。 如下图电路，驱动IC的Vs引脚直接接到MOS的S极，即解决没有GND作为S极电压参考的问题。

当器件内部，载流子在不连续的材料上移动时，会随机的遭遇到捕获和释放，进而产生闪烁噪声。 MOS管中栅极的氧化层与硅介质层之间，就存在不连续性。在CMOS管工艺中，闪烁噪声取决于接触面的纯度，如果从一种CMOS工艺换到另一种CMOS管工艺时，闪烁噪声的值可能会大不相同。 在饱和区时，闪烁噪声可以用与栅极级联的电压源来表示，粗略地可以表示为：

大功率光伏逆变器组成：多个 PV 电池板串联连接，实现进入逆变器输入端的高直流输入电压。 将优化器部署到相应的 PV 电池板，可获得超高效率,输出旁路电路的作用 原因：所有 PV电路板均以串联方式连接，如果任何一个太阳能电池板发生故障，则PV电池板串的电压会崩溃。

设计：主副输入电压相等，并要求输出相同电压，压降小 解决方案 用MOS场效应管导通时，低Rds特性，成本低，高效率。 此电路， Vin1 = 3.3V，Vin2电压有无不定，都由Vin1通过Q3输出电压。 Vin1断开，由Vin通过Q2输出电压 MOS管Rds小，产生压降差不多为数十mV，Vout基本等于Vin。

MOS场效应管电平转换 此电路组成：由MOS管电阻 当5V电路发送高电平时，MOS管Q1不导通，因此3.3V端的电压被上拉电阻R2拉至3.3V，为高电平。 当5V电路发送低电平时，MOS场效应管Q1导通，MOS场效应管Q1的S极变为低电平，即3.3V端变为低电平。

NMOS场效应管Q2的作用，很关键，它是用来降压稳压。 Q2工作在放大区 如NMOS场效应管Q2的Vgs Vgs=2.5V NMOS场效应管Q2的源极输出电压为： 12V-2.5=9.5V 此时B+的电压发生，一定范围的跳动也是没关系。 NMOS场效应管Q2的输出不会受影响。 注意： NMOS场效应管Q2的DS间耐压值是否承受的了。 当负载电流较大时，需要考虑此时的NMOS场效应管Q1，也会存在很大的功率，发热量会很大，因此layout要注意做好散热。

三相OBC电路中SiC MOS场效应管应用更高的开关频率，可以减小磁性元器件体积和重量，提高效率和功率密度，同时高系统母线电压，大大减少功率器件数量，便于电路设计，提高可靠性。 SiC MOS场效应管应用于大功率OBC电路图 如下图所示

为什么要用缓启动 如，热插拔时，连接器的机械触点在接触瞬间会出现弹跳，引起电源振荡， 9或因系统大容量储能电容的充电效应，系统中会出现很大的冲击电流。 在瞬时产生的大电流，工作时产生明显的打火现象，这会引起电磁干扰，并对接插件造成腐蚀，因此需要“缓慢”上电。缓启动电路作用： 1.防抖动延时上电 2.控制输入电流的上升斜率和幅值。缓启动电路工作原理 MOS管具备低导通阻抗Rds_on和驱动简单的优势，在这基础上配合其它的元器件，就能构成缓慢启动电路。 在正电源中用PMOS，在负电源中使用NMOS 用一个NMOS管搭建的一个-48V电源缓启动电路图

电源抑制比(PSRR) 表示 LDO 滤除输入电压变化的能力,区域 1:基准和电阻器-电容器滤波器的 PSRR 区域 2:误差放大器的开环增益 区域3:场效应品体管和输出电容器的寄生电容以及相关的寄生电容(电容分压器) 寄生电容越小，交流耦合到 Vou的 V越少Cou 越大，分流到 GND 的噪声就越多相关的等效串联电感(ESL)也会影响 PSRR 性能,哪些条件不影响 PSRR 如果 VBIAs 高于最小值，则没有影响