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  • NMOS管型的LDO-NMOS管知识-竟业电子 NMOS管型的LDO-NMOS管知识-竟业电子
    NMOS管稳压器具有下列特点: 要求输入电压高于输出电压 高出的幅度依据传输晶体管的VGS要求;

    时间:2024/7/17键词:MOS管

  • 电源电压反转解决方案MOS场效应管电路-竟业电子 电源电压反转解决方案MOS场效应管电路-竟业电子
    因为电源 (电池) 电压增强了MOS场效应管 ,因而产生了更少的压降和实质上更高的电导,该电路的 NMOS 版本比 PMOS 版本更好,因为分立式 NMOS 晶体管导电率更高、成本更低且可用性更好。 在这两种电路中,MOS场效应管 都是在电池电压为正时导通,电池电压反转时则断开连接。MOS场效应管 的物理“漏极”变成了电源,因为它在 PMOS 版本中是较高的电位,而在 NMOS 版本中则是较低的电位,由于 MOSFET在三极管区域中是电对称的,

    时间:2024/7/3键词:MOS场效应管

  • 场效应管功放级电路原理电路图-场效应管知识-竟业电子 场效应管功放级电路原理电路图-场效应管知识-竟业电子
    功放级原理电路,推动级与后级之间的耦合取消传统的电容耦合方式,功率放大管采用双极型FET场效应管,此线路每声道为4对,并联使用,降低输出阻尼系数,此线路输出功率为50W,欣赏大动态音乐足够,每声道为4对时,如果配对比较困难,可采用2对,配对误差要求在3%以内。 各管要用云母绝缘,并涂上导热硅脂,各功率管的栅极电阻采用五色环1/4W的金属膜电阻。阻值越大,音色越“暖和”,经试验在330ohm到470ohm之间为最好,吸收回路中C与R的值不能太小,也可不要。

    时间:2024/7/2键词:场效应管

  • SiC MOS管应用于充电桩电源模块电路-MOS管知识-竟业电子 SiC MOS管应用于充电桩电源模块电路-MOS管知识-竟业电子
    主流企业仅10家左右,包括特来电、盛弘股份、科华恒盛等为代表的自产自用型,英飞源、优优绿能、星源博睿、英可瑞等为代表的外供型两类。 新能源汽车800V平台的出现,主流充电模块也从之前主流的15、20kW向30、40kW发展,输出电压范围300Vdc-1000Vdc,并且具备双向充电功能,以达到V2G/V2H等技术要求。 因此,越来越多充电模块企业开始采用SiC MOS管解决方案。

    时间:2024/6/26键词:MOS管

  • MOS管开关反激CCM开通和关断损耗最恶劣电路图-竟业电子 MOS管开关反激CCM开通和关断损耗最恶劣电路图-竟业电子
    MOS管开关反激CCM开通和关断损耗最恶劣电路图 如下电路图为电流与电压在开关时交叠的过程 此图中描述的是其实是最恶劣的情况 最恶劣的情况分析:开通时等mos管电流上升到I1之后mos管电压才开始下降,关断时等mos管电压上升到Vds后mos管电流才开始下降。

    时间:2024/6/13键词:MOS管

  • 电源输出时场效应管在电路吸收噪声的作用-场效应管知识-竟业电子 电源输出时场效应管在电路吸收噪声的作用-场效应管知识-竟业电子
    一般选择场效应管的反向恢复时间要比二极管D1慢2~3倍,以避免形成直通电流,此电流会产生很强的磁场,会增大输出噪声,所以可通过栅极电阻R4来减慢开关管的导通速度。为了不影响关断速度可以在栅极电阻并联一个二极管D2如下图所示 可以在场效应管DS两端并联一个RC电路也可以有效的降低噪声,电容C2一般在100PF~300PF左右,电容值过大会导致场效应管的开关损耗加大,电阻R2一般选取小于10Ω电阻。 二极管在高速导通和关断时,反向恢复期间,二极管的寄生电感和电容会产生高频振荡, 为了抑制高频振荡可在二极管两端加RC缓冲电路

    时间:2024/6/7键词:场效应管

  • 开关电源中热回路ESL与MOSFET关系-MOSFET知识-竟业电子 开关电源中热回路ESL与MOSFET关系-MOSFET知识-竟业电子
    热回路PCB模型: (a) 5mm * 6mm MOSFET,直线布置 (b) 5mm* 6mm MOSFET,以90°形状布置; (c) 5mm* 6mm MOSFET,以180°形状布置; (d) 两个并联的3.3mm * 3.3mm MOSFET,以90°形状布置; (e) 两个并联的3.3mm * 3.3mm MOSFET,以90°形状布置,带有接地层; (f) 对称的3.3mm * 3.3mm MOSFET,位于顶层和底层,以90°形状布置。 下表对于不同器件形状和位置,使用FastHenry提取的热回路PCB ESR和ESL,(a)至(c)展示:三种常见功率FET布置,其中采用5mm × 6mm MOSFET。热回路的物理长度决定了寄生阻抗。 与(a)相比,情况(b)中的90°形状布置和情况(c)中的180°形状布置的回路路径更短,导致ESR降低60%,ESL降低80%。由于90°形状布置显示出了优势,可基于情况(b)研究更多情况,以进一步降低回路ESR和ESL。

    时间:2024/5/23键词:MOSFET

  • 使用MOSFET作为开关的电路案例-MOSFET知识-竟业电子 使用MOSFET作为开关的电路案例-MOSFET知识-竟业电子
    在这种电路布置中,增强模式N沟道MOSFET用于切换简单的灯“ON”和“OFF”也可以是LED, 栅极输入电压VGS被取为适当的正电压电平,以使器件和灯负载“开启”(VGS=+ve)或处于使器件“关闭”(VGS=0V)的零电压电平。 如果灯的电阻负载被电感负载(如线圈、螺线管或继电器)取代,则需要与负载并联的“飞轮二极管”,以保护MOSFET免受任何自行产生的反电动势的影响。 上面显示了一个用于切换电阻负载(如灯或LED)的非常简单的电路。但是,当使用功率MOSFET来切换电感或电容负载时,需要某种形式的保护来防止MOSFET器件损坏。驱动电感性负载具有与驱动电容性负载相反的效果

    时间:2024/5/20键词:MOSFET

  • MOSFET中的PMOS与NMOS示意图及电路分析-竟业电子 MOSFET中的PMOS与NMOS示意图及电路分析-竟业电子
    此外,MOSFET与BJT的不同之处在于,栅极和沟道之间没有直接连接,不像BJT的基极-发射极结,因为金属栅电极与导电沟道电绝缘,因此其次要名称为绝缘栅场效应晶体管(insulated gate Field Effect Transistor,简称IGFET)。 我们可以看到,对于n沟道MOSFET(NMOS),衬底上方的半导体材料是p型,而源极和漏极是n型。电源电压将为正。将栅极端子偏置为正将栅极区域下方的p型半导体衬底内的电子吸引向它。

    时间:2024/5/17键词:MOSFET

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