设计：主副输入电压相等，并要求输出相同电压，压降小

解决方案

用MOS场效应管导通时，低Rds特性，成本低，高效率。

此电路，

Vin1 = 3.3V，Vin2电压有无不定，都由Vin1通过Q3输出电压。

Vin1断开，由Vin通过Q2输出电压

MOS场效应管Rds小，产生压降差不多为数十mV，Vout基本等于Vin。                                     

 

原理分析                

如果Vin1 = 3.3V，NMOS Q1导通，拉低PMOS Q3的栅极，Q1也开始导通，此时，Q2的栅极跟源极之间的电压为Q3的导通压降，该电压差不多为几十mV，因此Q2关闭，外部电源Vin2断开，Vout由Vin1供电，Vout = 3.3V。此时整个电路的静态功耗I1+I2 = 20uA。

Vin1断开，Q1截止，Q2的栅极有R1的下拉，所以Q2导通，Q3的栅极通过R2上拉，所以Q3也截止，整个电路，Q1跟Q3截止，Vout由Vin2供电，Vout = 3.3V，此时上面电路I1跟I2的静态功耗不存在。

当存在主电源，电路静态功耗为20uA，否则，几乎为零，所以电池适合在外部电源供电，MOS场效应管 Q1、Q2跟Q3应该选择具有低压栅极和非常低的导通电阻特性。