电源抑制比(PSRR) 表示 LDO 滤除输入电压变化的能力,区域 1:基准和电阻器-电容器滤波器的 PSRR 区域 2:误差放大器的开环增益 区域3:场效应品体管和输出电容器的寄生电容以及相关的寄生电容(电容分压器) 寄生电容越小，交流耦合到 Vou的 V越少Cou 越大，分流到 GND 的噪声就越多相关的等效串联电感(ESL)也会影响 PSRR 性能,哪些条件不影响 PSRR 如果 VBIAs 高于最小值，则没有影响

MOS场效应管电源应用于电焊机的拓扑图 单相逆变线电路 三相逆变线电路

PMOS场效应管打开时，前级电源VCC电压会跌落 原因：VCC_3G并联一个1000uf电容，初步判断是mos管开启瞬间充电电流引起。减小容值有比较小的改善，直接去掉后电压才不会跌落，但是这个储能电容又不能去掉。 解决方案 解决这个问题的关键，就在于降低大容量电容的充电速度。 1.在1000uF与PMOS管之间串联电阻或者在电容上面串联电阻； 2. 在PMOS管之前增加串联电阻； 2.降低PMOS管的开通速度，包括在GS间并联电容或者在GD间并联电容； 3.在PMOS管与电容之间串联电阻或者在电容上面串联电阻 这种方法，其实就是降低电容的充电电流，从而减小前级电源电压的跌落。

VMOS场效应管全称V型槽MOS场效应管 特点：继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。 高阻抗：≥108W 小驱动电流：0.1μA左右 耐压高：最高可耐压1200V 大工作电流：1.5A～100A 高输出功率：1～250W 非常好的跨导的线性 开关速度快 应用于：电压放大倍数可达数千倍因此应用于电压放大器，功率放大器、开关电源和逆变器。 VMOS场效应管结构特点 1.金属栅极采用V型槽结构； 2.具有垂直导电性。 因漏极是从芯片的背面引出，ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。

NMOS管稳压器具有下列特点: 要求输入电压高于输出电压 高出的幅度依据传输晶体管的VGS要求;

因为电源 (电池) 电压增强了MOS场效应管 ，因而产生了更少的压降和实质上更高的电导，该电路的 NMOS 版本比 PMOS 版本更好，因为分立式 NMOS 晶体管导电率更高、成本更低且可用性更好。 在这两种电路中，MOS场效应管 都是在电池电压为正时导通，电池电压反转时则断开连接。MOS场效应管 的物理“漏极”变成了电源，因为它在 PMOS 版本中是较高的电位，而在 NMOS 版本中则是较低的电位，由于 MOSFET在三极管区域中是电对称的，

功放级原理电路,推动级与后级之间的耦合取消传统的电容耦合方式，功率放大管采用双极型FET场效应管，此线路每声道为4对，并联使用，降低输出阻尼系数，此线路输出功率为50W，欣赏大动态音乐足够，每声道为4对时，如果配对比较困难，可采用2对，配对误差要求在3％以内。 各管要用云母绝缘，并涂上导热硅脂，各功率管的栅极电阻采用五色环1／4W的金属膜电阻。阻值越大，音色越“暖和”，经试验在330ohm到470ohm之间为最好，吸收回路中C与R的值不能太小，也可不要。

主流企业仅10家左右，包括特来电、盛弘股份、科华恒盛等为代表的自产自用型，英飞源、优优绿能、星源博睿、英可瑞等为代表的外供型两类。 新能源汽车800V平台的出现，主流充电模块也从之前主流的15、20kW向30、40kW发展，输出电压范围300Vdc-1000Vdc，并且具备双向充电功能，以达到V2G/V2H等技术要求。 因此，越来越多充电模块企业开始采用SiC MOS管解决方案。

MOS管开关反激CCM开通和关断损耗最恶劣电路图 如下电路图为电流与电压在开关时交叠的过程 此图中描述的是其实是最恶劣的情况 最恶劣的情况分析：开通时等mos管电流上升到I1之后mos管电压才开始下降，关断时等mos管电压上升到Vds后mos管电流才开始下降。