VMOS场效应管全称V型槽MOS场效应管

特点：继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。

 

高阻抗：≥108W

小驱动电流：0.1μA左右

耐压高：最高可耐压1200V

大工作电流：1.5A～100A

高输出功率：1～250W

非常好的跨导的线性

开关速度快

 

应用于：电压放大倍数可达数千倍因此应用于电压放大器，功率放大器、开关电源和逆变器。

VMOS场效应管结构特点

1.金属栅极采用V型槽结构；

2.具有垂直导电性。

因漏极是从芯片的背面引出，ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。

电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流，由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。