大容性负载，PMOS场效应管开通瞬间，前级电源电压跌落。

PMOS场效应管打开时，前级电源VCC电压会跌落

原因：VCC_3G并联一个1000uf电容，初步判断是mos管开启瞬间充电电流引起。减小容值有比较小的改善，直接去掉后电压才不会跌落，但是这个储能电容又不能去掉。

 

解决方案

解决这个问题的关键，就在于降低大容量电容的充电速度。

1.在1000uF与PMOS管之间串联电阻或者在电容上面串联电阻；

2. 在PMOS管之前增加串联电阻；
2.降低PMOS管的开通速度，包括在GS间并联电容或者在GD间并联电容；
3.在PMOS管与电容之间串联电阻或者在电容上面串联电阻 这种方法，其实就是降低电容的充电电流，从而减小前级电源电压的跌落。

 

在PMOS场效应管与电容之间串联电阻或者在电容上面 不管哪种，串联电阻均能够降低电容的充电速度，但是也相应的降低负载驱动能力。

在PMOS场效应管之前增加串联电阻，其实和上面的方法大同小异，其本质都是降低前级电源对电容的充电电流。