在该夹断区域中，栅极电压、VGS控制沟道电流，VDS几乎没有影响。 结果：FET的作用更像一个电压控制电阻器 当VGS=0时，电阻值=0 当栅极电压非常负时，电阻最大为“ON”，在正常操作条件下，JFET栅极总是相对于源极负偏置。 重要：栅极电压永远不会是正的 原因：是正，所有的沟道电流都会流到栅极而不是源极 结果：会损坏JFET，关闭通道

像双极结晶体管一样，JFET可以用于制造具有JFET公共源极放大器的单级A类放大器电路，其特性与BJT公共发射极电路相似。 JFET放大器优势 它们的高输入阻抗，R1和R2形成的栅极偏置电阻网络控制。该共源（CS）放大器电路由电阻器R1和R2形成的分压器网络以A类模式偏置。源极电阻器RS两端的电压通常被设置为大约VDD的四分之一（VDD/4），但可以是任何合理的值。

MOS场效应管：低导通损耗 但取决于，器件的漏源导通电阻 RDS(ON) 与导通状态电压。 Si MOS场效应管承载的电流小于IGBT IGBT 用于：大功率。 MOSFET用于： 重视高效率的高频应用。 SiC MOS场效应管 与 Si MOSFET 相似 SiC是一种 WBG材料，其特性允许这些器件在与 IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。 这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。

Si MOS MOS场效应管和IGBT已在电源转换器中使用了很久。 SiC MOSFET：已成为一项新技术，鉴于其固有的材料特性（宽带隙 (WBG) 材料） 优势：已超过这些器件。

SiC MOS场效应管：功率因数校正电源、光伏逆变器、 EV/HEV 的直流/直流、 EV 的牵引逆变器、电机驱动器和铁路。 IGBT：电机驱动器或交流电机，不间断电源 (UPS)、小于 3kW 的集中式，串式光伏逆变器，牵引逆变器 EV/HEV 。

不同：晶体管作为开关操作，晶体管需要完全“关”（截止）或完全“开”（饱和）。 理想状态 晶体管开关在“完全关闭”时，集电极和发射极之间的电路电阻为无穷大，导致流过它的电流为零， 在“完全打开”时，集电极和发射体之间的电阻为零，导致电流最大。

MOS场效应管的源极s端子直接连接到地或供电轨，而漏极开路D端子连接到外部负载。当驱动功率负载或连接到更高电压源的负载时，使用MOS场效应管或IGBT作为开漏（OD）器件遵循与开集电极输出OC相同的要求，因为应用了上拉或下拉电阻器。唯一的区别是MOSFET通道的热功率额定值和静态电压保护。

在eMOS场效应管两端连接固定的VDS漏极-源极电压的情况下，可绘制漏极电流ID的值与VGS的变化值，以获得MOS场效应管正向直流特性的曲线图，这些特性给出了晶体管的跨导gm。

P通道源极端子连接到+Vdd，漏极端子通过继电器线圈连接到地。当高电压电平施加到栅极时，P沟道MOS场效应管将被“关闭”。 关闭的E-MOS场效应管将具有非常高的沟道电阻，其作用几乎像开路。

开路集电极开关电路的典型布置，其可用于驱动机电型器件以及许多其他开关应用。NPN晶体管基极驱动电路可以是任何合适的模拟或数字电路。晶体管的集电极连接到要切换的负载，晶体管的发射极端子直接连接到地。