集电极开路PNP晶体管电路

NPN型或PNP型集电极开路输出配置只能在导通时主动将其输出拉低至地，或将其输出拉高至电源轨，它取决于晶体管类型，但如果连接的负载无法做到这一点，则其集电极端必须通过使用连接到其输出端的上拉或下拉电阻器被动地上拉或下拉，所使用的输出晶体管的类型，以及它的开关动作，产生电流吸收器或电流源条件。

在其集电极开路配置中使用双极晶体管外，还可以在其源极开路配置中采用n沟道和p沟道增强型MOS场效应管或IGBT。

与双极结型晶体管BJT不同，它需要基极电流来驱动晶体管达到饱和，常开（增强）MOS场效应管需要向其栅极G端子施加合适的电压。

MOS场效应管的源极s端子直接连接到地或供电轨，而漏极开路D端子连接到外部负载。

当驱动功率负载或连接到更高电压源的负载时，使用MOS场效应管或IGBT作为开漏（OD）器件遵循与开集电极输出OC相同的要求，因为应用了上拉或下拉电阻器。唯一的区别是MOSFET通道的热功率额定值和静态电压保护。

开放漏极增强MOS场效应管配置电路图