Si MOS MOS场效应管和IGBT已在电源转换器中使用了很久。

SiC MOSFET：已成为一项新技术，鉴于其固有的材料特性（宽带隙 (WBG) 材料）

优势：已超过这些器件。

它的特性如下表格所示

与使用Si 器件的系统相比，SiC 的材料特性可直接转化为系统级优势，包括更小的尺寸、更低的成本以及更轻的重量，因此，SiC MOS场效应管正在逐渐取代 Si 功率器件。