它们都应用于：电源

不同之处：功率水平 + 驱动方法 + 工作模式

功率IGBT和MOSFET在栅极均由电压进行驱动

IGBT内部：是一个驱动双极结型晶体管BJT的 MOSFET。

IGBT的双极特性，它们以低饱和电压 承载很大的电流，从而实现低导通损耗。

 

MOS场效应管：低导通损耗

但取决于，器件的漏源导通电阻 RDS(ON) 与导通状态电压。

 

Si MOS场效应管承载的电流小于IGBT

IGBT 用于：大功率。

MOSFET用于： 重视高效率的高频应用。

 

SiC MOS场效应管 与 Si MOSFET 相似

SiC是一种 WBG材料，其特性允许这些器件在与 IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。

这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。

如下图所示，功率器件额定值和应用