在MOS场效应管中VG控制整个晶体管的开与关 电平较低的一端被认为是源极，衬底和地相连 晶体管状态由VG控制 VG为低电平=源极漏极之间无连接 ， 晶体管断开 ——开关断开 VG为高电平=源极和漏极之间相连接——晶体管导通——开关闭合 电平较高的一段被认为是源极，衬底和VDD相连 晶体管状态由BG控制 VG为高电平 =源极漏极之间无连接  晶体管断开——开关断开

在USB未接入情况下 闭合S2 电流流过PMOS场效应管的体二极管 PMOS场效应管的S极电位为正 G极电位为0 Vgs<0 且小于Vgsth(CJ2301 Vgs(th)为-1V )， PMOS导通 当S1闭合 USB接入时 G极电位为USB对地电位 而S极电位为原来负载端电位  Vgs>0 且 因而PMOS关闭 体二极管为D极指向S极因此电流无法反流

什么是FAMOS 浮置栅雪崩注入MOS晶体管 FAMOS的基本结构如下图所示 在p-MOSFET的基础上，只是把栅极改变为一个浮空的栅极——浮栅（用多晶硅制作）； 该浮栅被优质SiO2包围着，其中的电荷可较长时间地保存起来。 FAMOS在常态时处于截止状态即无沟道。 当源-漏电压VDS足够大时，漏极p-n结即发生雪崩击穿，将倍增出大量的电子-空穴对；

当结电容损耗变大时，如何去调整？ 选择更小Coss的MOS场效应管。 MOS场效应管的开与闭的过程，需不断在结电容中充放电 理想：电抗元件不消耗能量， 实际：电容会存在ESR寄生电阻，当电流流过会产生损耗。 在单次充放电，电容越小，电流也会越小，损耗也会小。

NMOS场效应管的源漏和沉底连到一起到地，gate上有一个电压源。 如下图所示 NMOS场效应管剖面图 gate电源大=一定程度 > 阈值电压VTH 引起源漏间出现反型层，即沟道形成 栅氧即gate与沟道间的绝缘介质，并形成电容 电容的单位面积大小，与栅氧的厚度和介电常数有关。

mos场效应管开关电路实例电路图 电路中，增强型 N 沟道mos场效应管用于切换简单的灯“ON”和“OFF”。 栅极输入电压VGS被带到适当的正电压电平以打开器件 因此：灯负载要么“打开” V GS = +ve 要么处于将器件“关闭”的零电压电平 V GS = 0V 如果灯的电阻负载要由电感负载(如线圈、螺线管或继电器)代替，则需要与负载并联一个

未接入USB时 闭合S2 电流，流过PMOS场效应管的体二极管 正在这时候， PMOS场效应管的S极 S极的电位=正 G极电位=0 当Vgs<0 且<  Vgsth 时，PMOS导通 CJ2301 Vgs(th)=-1V ) S1闭合 接入USB时 G极电位=USB对地电位 S极电位=原来负载端电位

MOS场效应管知识电源开关采用PMOS场效应管优劣分析及改善解决方案，出现有问题：POWER_RESET=高，Q4和Q2导通，电源接通; POWER_RESET=低，Q4和Q2不导通，电源不通。PCB板焊上元件，通电，电路异常如：POWER_RESET突然变高如上图电路中电源3V3突然接通，DCDC_3V3被拉下。DCDC_3V3=前级电源

MOS场效应管尖峰电压解决方案 尖峰电压 即一种浪涌电压。 特点：时间短，高电压值。 为何会产生尖峰电压 产生的主要因素：功率转换设备+电容器+电机 如：雷电击，输电线路，引起危险高能瞬变，会在低压电源电路中定期发生，可产生的数千伏峰值。

CMS6164采用双N 沟道V MOS场效应管或IGBT 构成的桥式电路设计的三相中压高速 栅极MOS场效应管驱动IC解决方案 此方案可以应用于直流无刷和直流无刷 它是通过 输入信号：HIN，LIN HIN控制高侧驱动电路输出HO LIN控制低侧驱动电路输出LO 内置最小死区时间310ns 当单片机，输出信号死区时间 > 内置死区时间 实际死区时间=单片机设置的死区时间