NMOS场效应管的源漏和沉底连到一起到地，gate上有一个电压源。

如下图所示

NMOS场效应管剖面图

 

gate电源大=一定程度 > 阈值电压VTH

引起源漏间出现反型层，即沟道形成

栅氧即gate与沟道间的绝缘介质，并形成电容

电容的单位面积大小，与栅氧的厚度和介电常数有关。

 

若gate电压< 地电压

不能形成源漏间的N型沟道，P型衬底空穴会在栅氧下方累积。

gate与衬底间也会形成电容，栅氧是绝缘介质，与形成沟道时电容大小相差无几。

 

若gate电压处在一个不尴不尬的位置，源漏间不能形成沟道，P型衬底的空穴在上方不能积累。

 

即栅氧下方会形成一个空间电荷区

此空间电荷区是电子与空穴结合后形成的区域

它绝缘体，不带电

此绝缘体与栅氧绝缘体相叠加，增加了等效绝缘介质的厚度，即电容值减小。

 

 

 

 

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