当结电容损耗变大时，如何去调整？

选择更小Coss的MOS场效应管。

 

MOS场效应管的开与闭的过程，需不断在结电容中充放电

理想：电抗元件不消耗能量，

实际：电容会存在ESR寄生电阻，当电流流过会产生损耗。

在单次充放电，电容越小，电流也会越小，损耗也会小。

 

降低频率

一定时间内频率越低，Coss充放电次数越少，损耗自然也会少。

降低频率会降低其它工作性能，所以要全面考虑。

 

增加RCD的电容

RCD用于吸收变压器漏感能量，从而降低MOS应力。

Coss电容能量1/2CV^2。

电压应力越大，Coss储存能量越多，放电或者充电在ESR中损耗也会大。

增加RCD的电容，是把这部分损耗转嫁到RCD上的C，在R上释放掉，分担一些热量。

 

改善变压器漏感

MOS应力是由变压器原边漏感组成。

改善变压器漏感，即可以减少MOS场效应管的损耗。

 

 

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