什么是FAMOS

浮置栅雪崩注入MOS晶体管

 

FAMOS的基本结构如下图所示

 

在p-MOSFET的基础上，只是把栅极改变为一个浮空的栅极——浮栅（用多晶硅制作）；

该浮栅被优质SiO2包围着，其中的电荷可较长时间地保存起来。

 

FAMOS在常态时处于截止状态即无沟道。

当源-漏电压VDS足够大时，漏极p-n结即发生雪崩击穿，将倍增出大量的电子-空穴对；

其中空穴进入衬底，而部分高能量的热电子可越过Si/SiO2势垒（热发射）而注入到浮栅；当浮栅中积累的负电荷足够多时，即使得半导体表面反型而形成沟道，从而MOS器件导通。

 

即器件开始时是截止的，待发生雪崩注入、浮栅中积累有电荷后才导通，因此根据MOS器件的导通与否，就可以得知浮栅中是否存储有电荷；

这也就意味着FAMOS可以实现信号（电荷）的存储和检测，即具有存储器的功能。

要去除该器件存储的电荷（信号）时，一般比较困难，即需要高能量光子（紫外光或者X射线）等的照射才能使得浮栅中的电子被释放出来，这要求在管壳上开孔以把光照射进去。

 

 

 

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