CMS6164采用双N 沟道V MOS场效应管或IGBT 构成的桥式电路设计的三相中压高速

栅极MOS场效应管驱动IC解决方案

此方案可以应用于直流无刷和直流无刷

它是通过

输入信号：HIN，LIN

HIN控制高侧驱动电路输出HO

LIN控制低侧驱动电路输出LO

 

内置最小死区时间310ns

当单片机，输出信号死区时间 > 内置死区时间

实际死区时间=单片机设置的死区时间

 

内置VCC、VBS 欠压UVLO保护功能

可避免系统在低驱动电压开启外部功率管

 

 

 

 

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