电源开关采用PMOS场效应管优劣分析及改善解决方案-MOS场效应管知识-竟业电子

   时间:2022/11/3      阅读:1574   关键词:MOS场效应管

电源开关中采用PMOS场效应管

会出现有问题:

POWER_RESET=高,Q4Q2导通,电源接通;

POWER_RESET=低,Q4Q2不导通,电源不通。

电源开关采用PMOS场效应管优劣分析及改善解决方案

 

PCB板焊上元件,通电,电路异常

如:POWER_RESET变高

如上图电路中

电源3V3突然接通DCDC_3V3被拉下。

DCDC_3V3=前级电源

 

示波器测量如下:

电源开关采用PMOS场效应管优劣分析及改善解决方案

 

造成这样的原因

1.开关开启速度太快,瞬间导通后级3V3电源会接很多滤波电容总电容量很大

2.电源突然接通需对电容充电,电容量大,导致开始需很大电流前级来不及提供,导致电源被拉下。

 

解决方案

改善电路如下图

电源开关采用PMOS场效应管优劣分析及改善解决方案

首先要让元器件导通时间变缓

C169可让Q4变缓

C168R171可让Q3变缓

 

Q4导通前Q3Vgs=0

Q4不导通导通Q3GS上有电容,电容两端电压不能突变,Q3G极不会马上被拉低,需要通过R171对电容C168C167充电.

 

充电过程

G极电压变低过程,Vgs慢慢变化,Q3也慢慢导通,C167C168R171的值决定开启速度

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