在MOS场效应管中VG控制整个晶体管的开与关

 

 

电平较低的一端被认为是源极，衬底和地相连

晶体管状态由VG控制

VG为低电平=源极漏极之间无连接 ， 晶体管断开 ——开关断开

VG为高电平=源极和漏极之间相连接——晶体管导通——开关闭合

 

 

电平较高的一段被认为是源极，衬底和VDD相连

晶体管状态由BG控制

VG为高电平 =源极漏极之间无连接  晶体管断开——开关断开

VG为低电平=源极漏极之间相连接  晶体管导通——开关闭合

 

 

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