P沟道MOS场效应管继电器开关电路

在下面电路图中

P通道源极端子连接到+Vdd，漏极端子通过继电器线圈连接到地。当高电压电平施加到栅极时，P沟道MOS场效应管将被“关闭”。

关闭的E-MOS场效应管将具有非常高的沟道电阻，其作用几乎像开路。

当低电压电平施加到栅极时，P沟道MOSFET将“导通”。这将导致电流流过操作继电器线圈的e-MOSFET通道的低电阻路径。

N沟道和P沟道e-MOS场效应管都是优秀的低压继电器开关电路，可以很容易地连接到各种数字逻辑门和微处理器应用。