它们的功率水平相似

因频率增加，即产生差异

如下图所示

它们是基于功率和频率水平的功率半导体器件应用

SiC MOS场效应管：功率因数校正电源、光伏逆变器、 EV/HEV 的直流/直流、 EV 的牵引逆变器、电机驱动器和铁路。

IGBT：电机驱动器或交流电机，不间断电源 (UPS)、小于 3kW 的集中式，串式光伏逆变器，牵引逆变器 EV/HEV 。