传统的负载侧反向保护

对于负载侧电路，这种方法比使用二极管更好，因为电源 (电池) 电压增强了MOS场效应管 ，因而产生了更少的压降和实质上更高的电导，该电路的 NMOS 版本比 PMOS 版本更好，因为分立式 NMOS 晶体管导电率更高、成本更低且可用性更好。

在这两种电路中，MOS场效应管 都是在电池电压为正时导通，电池电压反转时则断开连接。MOS场效应管 的物理“漏极”变成了电源，因为它在 PMOS 版本中是较高的电位，而在 NMOS 版本中则是较低的电位，由于 MOSFET在三极管区域中是电对称的，因此它们在两个方向上都能很好地传导电流。采用此方法时，晶体管必须具有高于电池电压的最大 VGS 和 VDS 额定值。

此方案缺点
仅对负载侧电路有效
它无法配合能够给电池充电的电路工作。
电池充电器将产生电源，重新启用 MOS场效应管 并重新建立至反向电池的连接，
下图是用NMOS，下图电池处于故障状态。

一个电池充电器的负载侧保护电路

当电池接入，电池充电器处于闲置状态，负载和电池充电器与反向电池安全去耦。如果充电器变至运行状态 ，则充电器在 NMOS 的栅极和源极之间产生一个电压，此增强NMOS，实现电流传导，如下图所示：

传统的反向电池保护方案对电池充电器电路无效

负载和充电器虽与反向电压隔离，但是起保护作用的 MOSFET 现在面临的一大问题是功耗过高，此时，电池充电器变成了一个电池放电器，当电池充电器为 MOSFET 提供了足够的栅极支持以吸收由充电器输送的电流时，该电路将达到平衡。

如果一个强大MOS场效应管 的VTH 约为2V，而且充电器能够在 2V 电压下提供电流，则电池充电器输出电压将稳定在 2V (MOS场效应管 的漏极处在 2V + 电池电压)。
MOS场效应管 的功耗
ICHARGE • (VTH + VBAT)
因此MOSFET升温发热，直到产生的热量散逸离开印刷电路板