| Parametrics | BSZ070N08LS5 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.55 |
| Ciss | 1800 pF |
| Coss | 280 pF |
| ID (@25°C) max | 40 A |
| IDpuls max | 160 A |
| Mounting | SMD |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 69 W |
| Package | PQFN 3.3 x 3.3 |
| Pin Count | 8 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @4.5V) | 14.1 nC |
| Qgd | 5 nC |
| RDS (on) (@4.5V LL) max | 9.4 mΩ |
| RDS (on) (@4.5V) max | 9.4 mΩ |
| RDS (on) (@10V) max | 7 mΩ |
| Rth max | 1.8 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 1.8 K/W |
| VDS max | 80 V |
| VGS(th) min max | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package
英飞凌的OptiMOS™ 5功率MOSFET逻辑电平非常适合无线充电、适配器和电信应用。器件的低栅极电荷（Qg）在不影响传导损耗的情况下减少了开关损耗。改进的品质因数允许在高开关频率下操作。此外，逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压（V GS（th）），允许MOSFET在5V下直接从微控制器驱动。
功能概述
小包装中的低R DS（打开）
低栅极电荷
较低的输出电荷
逻辑级兼容性
优势
更高的功率密度设计
开关频率更高
只要有5V电源，零件数量就会减少
直接由微控制器驱动（慢速切换）
降低系统成本
应用
无线充电
适配器
电信
