| Parametrics | IPD70R360P7S |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.38 |
| ID (@25°C) max | 12.5 A |
| ID max | 12.5 A |
| IDpuls max | 34 A |
| Mounting | SMT |
| Operating Temperature min max | -40 °C 150 °C |
| Ptot max | 59.5 W |
| Package | DPAK (TO-252) |
| Pin Count | 3 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 16.4 nC |
| QG | 16.4 nC |
| Qgd | 6 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 360 mΩ |
| RDS (on) max | 360 mΩ |
| Rth | 2.1 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 2.1 K/W |
| Special Features | price/perance |
| VDS max | 700 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2.5 V 3.5 V |
Infineon’s answer for flyback topologies
为满足当今，尤其是未来反激式拓扑的发展趋势而开发的新型700V CoolMOS™ P7超级结MOSFET系列与当今使用的超级结技术相比，提供了基本的性能提升，从而解决了低功率SMPS市场，如手机充电器或笔记本适配器。通过将客户的反馈与20多年的超结MOSFET经验相结合，700V CoolMOS™ P7在以下方面最适合目标应用：
效率和热量
易用性
EMI行为
功能概述
极低FOM R DS（on）x E oss；较低的Q g、E开和E关
高性能技术
低开关损耗（E oss）
高效
优异的热性能
允许高速切换
集成保护齐纳二极管
3V的优化V（GS）th，具有±0.5V的极窄公差
优秀的投资组合
优势
具有成本竞争力的技术
与C6技术相比，效率增益高达2.4%，器件温度低12K
在更高的开关速度下进一步提高效率
支持更小的磁性尺寸和更低的BOM成本
高抗静电性能，达到HBM 2级
易于驾驶和设计
实现更小的外形尺寸和高功率密度设计
选择最合适产品的绝佳选择
应用
充电器
适配器
电视
照明
音频
辅助电源
