| Parametrics | BTS3410G |
|---|---|
| Channels | 2 |
| Control Interface | Discrete |
| EAS/Avalanche Energy | 150 mJ |
| Family | Classic HITFET™ 12V |
| ID | 1.3 A |
| ID(lim) min | 5 A |
| IL(nom) | 1.3 A |
| Load Current | 1.3 A |
| Mounting | SMT |
| Operating Temperature min max | -40 °C 150 °C |
| Ptot max | 0.8 W |
| RDS (on) (@ Tj = 150°C) max | 480 mΩ |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 190 mΩ |
| VDS max | 42 V |
| toff max | 100 µs |
| ton max | 100 µs |
智能SIPMOS技术中的N沟道垂直功率FET。通过嵌入式保护功能提供充分保护。
功能概述
逻辑电平输入
输入保护（ESD）
带自动重启功能的热关机
绿色产品（符合RoHS）
过载保护
短路保护
过电压保护
电流限制
模拟驱动可能
应用
双通道汽车保护继电器驱动器
