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| Parametrics | BSZ097N10NS5 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.63 |
| Ciss | 1600 pF |
| Coss | 250 pF |
| ID (@25°C) max | 62 A |
| IDpuls max | 248 A |
| Mounting | SMD |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 69 W |
| Package | PQFN 3.3 x 3.3 |
| Pin Count | 8 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 22 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 9.7 mΩ |
| Rth | 1.8 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 1.8 K/W |
| VDS max | 100 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2.2 V 3.8 V |
OptiMOS™ 5 PQFN 3x3封装中的功率MOSFET 100 V
英飞凌的OptiMOS™ 5个80V和100V的工业功率MOSFET器件设计用于电信和服务器电源应用中的同步整流，也是太阳能、低压驱动器和笔记本电脑适配器等其他应用的理想选择。
功能概述
针对同步整流进行了优化
适用于高开关频率
输出电容降低高达44%
RDS（开启）比上一代减少了43%
优势
最高的系统效率
降低了开关和传导损耗
所需并联更少
功率密度增加
低压过冲
应用
电信
服务器
太阳的
低压驱动器
轻型电动汽车
适配器
