| Parametrics | IPW60R070CFD7 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 3.5 |
| Ciss | 2721 pF |
| Coss | 53 pF |
| ID (@25°C) max | 31 A |
| ID max | 31 A |
| IDpuls max | 129 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 156 W |
| Package | TO-247 |
| Pin Count | 3 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 67 nC |
| QG | 67 nC |
| Qgd | 24 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 70 mΩ |
| RDS (on) max | 70 mΩ |
| Rth | 0.8 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 0.8 K/W |
| Special Features | fast recovery diode |
| VDS max | 600 V |
| VGS(th) min max | 4 V 3.5 V 4.5 V |
Infineon对谐振高功率拓扑结构的回答
600V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新的高压超结MOSFET技术，集成了快体二极管，完成了CoolMOS™ 7系列。正向电阻™ 与竞争对手相比，CFD7具有降低的栅极电荷（Qg）、改进的关断行为和高达69%的反向恢复电荷（Qrr），以及市场上最低的反向恢复时间（trr）。
功能概述
超快体二极管
同类最佳反向恢复充电（Qrr）改进的反向
二极管dv/dt和dif/dt的坚固性
最低FOM RDS（开）x Qg和Eoss
同类最佳RDS（on）/软件包组合
优势
同类最佳硬换向坚固性
谐振拓扑结构的最高可靠性
最高的效率与卓越的易用性/性能权衡
实现更高的功率密度解决方案
