| Parametrics | IPA95R1K2P7 |
|---|---|
| ID (@25°C) max | 6 A |
| ID max | 6 A |
| IDpuls max | 16 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 27 W |
| Package | TO-220 FullPAK |
| Pin Count | 3 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 15 nC |
| QG | 15 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 1200 mΩ |
| RDS (on) max | 1200 mΩ |
| Special Features | price/perance |
| VDS max | 950 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2.5 V 3.5 V |
为满足高压MOSFET领域日益增长的消费者需求，最新的950V CoolMOS™ P7技术专注于低功耗SMPS市场。
提供比前代900V CoolMOS™多50V的阻断电压 C3，950V CoolMOS™ P7系列在效率、热性能和易用性方面提供了卓越的性能。与所有其他P7家族成员一样，950V CoolMOS™ P7系列配备集成齐纳二极管ESD保护。集成二极管大大提高了ESD的稳健性，从而减少了与ESD相关的产量损失，并达到了卓越的易用性水平。正向电阻™ P7是用3V的同类最佳VGS（th）和仅±0.5V的窄公差开发的，这使其易于驱动和设计。
功能概述
一流的FOM RDS（on）Eoss；减少的Qg、Cis和Coss
450 mΩ的同类最佳DPAK RDS（开）
3V的最佳VGS（th）和±0.5V的最小VGS（ath）变化
集成齐纳二极管ESD保护达到2级（HBM）
一流的质量和可靠性
优势
与CoolMOS相比，效率增益高达1%，MOSFET温度降低2°C至10°C™ C3
实现更高的功率密度设计、BOM节约和更低的组装成本
易于驾驶和设计
通过减少ESD相关故障，提高生产效率
生产问题减少，现场回报减少
应用
照明
智能电表
大哥大充电器
笔记本适配器
AUX电源
工业开关电源
