MOS场效应管为单个导通脉，冲电感负载的电压电流波形及产生的损耗示意图。电流和电压的积分值就是产生的损耗，分为通态损耗和开关损耗。

如下图E(sat)为通态损耗，Eon和Eoff为开关损耗。

MOS场效应管反向导通

反向导通（源漏方向）时，导通方式会根据栅极电压变化。如果栅极施加负压时，电流流过体二极管，如下图所示

当栅极施加正压，超过阈值电压时，电流流过MOS场效应管，如下图