优势：高侧驱动，不用电荷泵驱动，稳定，简单，成本低。
如下图所示

PMOS场效应管做高侧开关的电路，CONTROL为控制信号，电平范围为0~VCC。
CONTROL=0V，Vgs<导通阀值，PMOS开通，负载工作。
CONTROL=VCC，Vgs>导通阀值，PMOS关断，负载停机。

注意
输入信号 CONTROL，低电平要保证Vgs能使PMOS场效应管开通，又要限制Vgs不能小于手册上的最小允许电压，以避免PMOS损坏。

MCU或其他控制器电平：3.3V / 5V，电路VCC却要在一个很大的范围内变动。这就导致如果使用I/O口直接驱动的话，PMOS不能关断，并且当VCC较大时，还会损坏MCU的I/O口。

PMOS场效应管做高侧开关，搭配一个小电流的NMOS或者NPN管，来做驱动电平转换。

如下图，NMOS - Q3负责做电平转换，来驱动Q2 - PMOS的开关。
当 CONTROL =0，Q3关断，Q2的G极电平被拉高为VCC，Q2 - PMOS关断，负载停机。
当CONTROL=1，Q3开通，Q2的G极电平被拉低为0，Q2 Vgs<导通阀值，PMOS开通，负载工作。

注意
如果VCC电压很高，在PMOS开通时，导致Vgs超出了手册中的Vgs允许范围，造成损坏PMOS栅极。

解决方案：增加一个稳压管和电阻，来达到钳位的作用，使Vgs最小不低于-12V，以保护Q2的栅极。
VCC电压较高时，需要重新计算各电阻的热功耗，来确定合适的封装，或者更改阻值。