5WLED电源驱动器 必须用电解电容，但是小型电解电容寿命非常短，只有几千小时。 如果用有专利的IC驱动器，即可以改变寿命短的缺点。 原因：不需要电解电容 寿命：达4万小时或以上，是需要电解电容的来驱动器10倍 有专利IC驱动器还有优势 尺寸：小，原来面积的四分之一，在不改变原有的LDE灯的形状下，即可以放进LED灯泡内。 且设计电路简化。

用热敏电阻检测基板温度，热敏电阻阻值随基板温度变化而变化，热敏电阻阻值的变化导致运放输入电压变化，从而实现运放的翻转控制PWM芯片的输出，进而将模块关闭。

实现旁路功能的常用方法是使用 P-N 结二极管或肖特基二极管，如下图，此方案低成本，易使用，可根据所选二极管实现非常高的反向电压。 此方案劣势： 例如高正向压降0.5V 至1V，会导致更高的功率耗散并需要更大的印刷电路板，为了克服旁路二极管解决方案的缺点，可以选择使用压降更低且功率损耗更低得益于低 RDS(on)的N沟道MOS场效应管。 劣势： MOS场效应管 不是一种独立的解决方案，它需要在控制电路，通常是带有分立式 MOSFET 驱动器电路的微控制器 (MCU)）的作用下用作开关。

每个元器件作用图解 控制信号PWR_EN=高 三极管Q1导通 R2下端等于接GND 因R1和R2的分压作用 MOS管M1的Vgs会有压差 Vgs=-Vin*R1/(R 1+R2) 即M1最终：会导通 当控制信号PWR_EN=低 三极管Q1不导通 R2下端相当于悬空 则，MOS管M1的栅极会被R1拉到和输入电压Vin一样 即Vgs=0 M1最终状态会：不导通 通过控制PWR_EN的高低 即控制PMOS场效应管 M1的导通和关断

CMOS数字集成电路组成：由CMOS 原因：互补金属氧化物半导体+电压控制的一种放大器件 CMOS场效应管数数字集成电路:是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片. 因为可读写的特性，在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。 BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入BIOS设置程序，方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS场效应管数设置。

在直流信号低频下，电路依然可正常工作，直流放大器电路也可以应用于伺服放大器。 增益和输出功率 直流伺服放大器电路的增益取决于 R8/R7，从电路中的各项值计算得到放大率 22。 如果输入信号大小为 1V ，则输出电压为 22V。 根据欧姆定律，可以计算出功率输出等于： 功率 = (ExE)/R = 22 x 22 / 8 = 66.5 W 负载为 8Ω，或 = 120 W 负载 4Ω 如果你想在负载 8Ω 时输出 100W 则需要输入不低于 1.28V 的输入信号 调整空闲电流 晶体管 Q5 是恒流电路，作为输出 mos场效应管的偏置，可以通过调节 VR1 调节，使电路稳定性更好，应谨慎选择 VR1。

微型无线话筒电路 组成：三极管+阻容+话筒头+微型纽扣电池 体积可以做到很小 发射距离可以达到30m左右，1.5v电池无线话筒 电路中，三极管与电感、电容组成高频振荡器，MIC输出的音频信号通过1μF的电容耦合直接对高频振荡器实现频率调制，改变三极管结电容。 10KΩ电阻是三极管的基极偏流电阻，制作中可根据三极管的工作电流大小，适当改变其阻值，电流大一些，发射距离会远一些，但电池消耗更快。

如果CMOS场效应管电路的负载（执行元件）是继电器，则电路必需具有较大的带负载才能。 如下图所示，为非门驱动一个分立元件的开关放大器件的接口电路。 a与b中三极管的集电极负载为继电器KA线圈 工作电流：lOOmA 晶体管β=25 需求4mA的基极电流。 这对与非门是个拉电流负载，如与非门不能提供此值的拉电流 那么，就要换成b电路。 变换电路:电阻Ri+二极管VD1+稳压管Vs 当与非门输出高电平常，VD1截止。 VS击穿，晶体管VT的基极电流由+15V电源经R1、VS和V1的发射结来提供，VT导通，继电器KA吸合。 当与非门输出低电1平常，灌电流经+15V电源经R1、VDi流入与非门，这个电流只要几毫安，可防止冈拉电流过大而引起输出高电平的降落。此时VS截止，VT截止，KA释放。

并不再起作用。 0压降实现主副电源自动切换 前面电路加了D1二极管，很难实现0压降 原因：D1压降最小也需要0.3V。 用MOS管低导通RDS（on）特性提高电路效率 如下所示 Jpg 用3个MOS管作设计电路 VIN=3.3V，Q1的NMOS导通，接着拉低Q3 PMOS栅极， Q3开始导通。 Q2 MOS的G-S间电压等于Q3 PMOS的导通压降，大概为几十mV Q2 MOS管关闭，VIN2断开，VOUT由VIN1进行供电，此时VOUT=3.3V

英飞凌infineon推出全球首款集成肖特基二极管的工业氮化镓（GaN）晶体管产品系列,集成肖特基二极管的英飞凌CoolGaN™晶体管通过减少不希望的死区时间损失来提高电源系统的性能。从而进一步提高整体系统效率。此外，集成解决方案简化了功率级设计并降低了BOM成本。