从左边到右边看 左边：输入 5G-pwren：3.3v的高低电平 Tvs作用:：防止静电，对于插拔设备，电源很重要。 在电源上的滤波电容，用来消除电路的纹波。 V1：是Pmos场效应管，用gs控制s的到d电路的通断。 vcc4v通电 5G-pwren：低电平 vgs=0v，电路截至； 5G-pwren：高电平 vgs<0v，电路导通 后端电路可用 合理延时控制5G-pwren，可对后端电路有延时，打开功能。

Q1和Q2将轮流导通 有驱动变压器的功率变换电路 T2为驱动变压器 T1为开关变压器 TR1为电流环

缓冲器组成：R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2 缓冲器和开关MOS场效应管并接，使开关管电压应力减少，减少EMI，不发生二次击穿。 开关管Q1关断时，变压器的原边线圈易产生尖峰电压和尖峰电流。 以上元件组合，可以吸收尖峰电压和电流。 从R3测得电流峰值信号，参与当前工作周波占空比控制，因此是当前工作周波的电流限制。 当R5上电压达到1V时，UC3842停止工作，开关管Q1立即关断。 R1和Q1中结电容CGS、CGD组成RC网络，电容充放电直接影响开关管的开关速度。 R1过小，易引起振荡，会有很大的电磁干扰； R1过大，会降低开关管的开关速度。 Z1通常将MOS场效应管的GS电压限制在18V以下，从而保护了MOS场效应管。

PMOS场效应管做高侧开关的电路，CONTROL为控制信号，电平范围为0~VCC。 CONTROL=0V，Vgs<导通阀值，PMOS开通，负载工作。 CONTROL=VCC，Vgs>导通阀值，PMOS关断，负载停机。 注意 输入信号 CONTROL，低电平要保证Vgs能使PMOS场效应管开通，又要限制Vgs不能小于手册上的最小允许电压，以避免PMOS损坏。 MCU或其他控制器电平：3.3V / 5V，电路VCC却要在一个很大的范围内变动。这就导致如果使用I/O口直接驱动的话，PMOS不能关断，并且当VCC较大时，还会损坏MCU的I/O口。 PMOS场效应管做高侧开关，搭配一个小电流的NMOS或者NPN管，来做驱动电平转换。 如下图，NMOS - Q3负责做电平转换，来驱动Q2 - PMOS的开关。

开关电源环路的频响特性，如果电源的负载特性在某一频率下增益等于1(0dB)且相移量为180°时，电源控制环路将因出现同相正反馈此相移量加原设定180°相移，总相移量为360°，因而有足够能量返回系统，并在此频率下维持振荡。 为避免电源系统出现类似破坏性的不稳定现象，通常情况下，环路控制电路都会采用反馈补偿组件来降低高频端的增益，使得开关电源在预设频率范围内都保持稳定。

MOS场效应管应用于人工智能数据中心的高能效电源，在服务器电源设计中，能效和功率密度是重要概念，它们相辅相成。 必须尽可能高效地将来自电网的能量转换为有用功率，减少损耗。 因此，电源拓扑演变到同步整流技术，并在整流器中采用 MOS场效应管取代了损耗较大的二极管。 为了优化能效，必须让所有元器件能效提到最高，尤其转换最重要的MOS场效应管。

MOS场效应管为单个导通脉，冲电感负载的电压电流波形及产生的损耗示意图。电流和电压的积分值就是产生的损耗，分为通态损耗和开关损耗。如下图E(sat)为通态损耗，Eon和Eoff为开关损耗。MOS场效应管反向导通,反向导通（源漏方向）时，导通方式会根据栅极电压变化。如果栅极施加负压时，电流流过体二极管，如下图所示,当栅极施加正压，超过阈值电压时，电流流过MOS场效应管，如下图

比较器+ RC定时+三极管开关，R1和C1组成RC定时网络，Q1和Q2组成电子开关。 其工作过程是：当把开关S1置于“关”时9V电池对电容C1充电。 使得C1两端的电压等于电池电压。 当把S1置于“开”时，电容C1接至运放的同相输入端（A），同时也通过R1放电。 R2和R5分压得到约1.5V的电压加至运放的反相输入端（B），刚开机时电压A大于B，运放输出高电平。

5WLED电源驱动器 必须用电解电容，但是小型电解电容寿命非常短，只有几千小时。 如果用有专利的IC驱动器，即可以改变寿命短的缺点。 原因：不需要电解电容 寿命：达4万小时或以上，是需要电解电容的来驱动器10倍 有专利IC驱动器还有优势 尺寸：小，原来面积的四分之一，在不改变原有的LDE灯的形状下，即可以放进LED灯泡内。 且设计电路简化。