-
- 电池管理系统充放电回路中的MOS管电路图-竟业电子
- 光伏储能电池管理系统BMS充放电回路中的MMOS管，会在开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，给MOS管带来威胁甚至损坏。功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了保护MOS管免受其威胁和损坏，电路保护器件在GS间选用TVS二极管进行浪涌过压保护。
光伏储能电池管理系统BMS充放电回路MOS管浪涌过压保护方案：
-
-
-
- Pmos场效应管应用于电源控制电路-竟业电子
- 从左边到右边看
左边：输入
5G-pwren：3.3v的高低电平
Tvs作用:：防止静电，对于插拔设备，电源很重要。
在电源上的滤波电容，用来消除电路的纹波。
V1：是Pmos场效应管，用gs控制s的到d电路的通断。
vcc4v通电
5G-pwren：低电平
vgs=0v，电路截至；
5G-pwren：高电平
vgs<0v，电路导通
后端电路可用
合理延时控制5G-pwren，可对后端电路有延时，打开功能。
-
-
- 开关电源功率变换电路中MOS场效应管工作原理分析-竟业电子
- 缓冲器组成：R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2
缓冲器和开关MOS场效应管并接，使开关管电压应力减少，减少EMI，不发生二次击穿。
开关管Q1关断时，变压器的原边线圈易产生尖峰电压和尖峰电流。
以上元件组合，可以吸收尖峰电压和电流。
从R3测得电流峰值信号，参与当前工作周波占空比控制，因此是当前工作周波的电流限制。
当R5上电压达到1V时，UC3842停止工作，开关管Q1立即关断。
R1和Q1中结电容CGS、CGD组成RC网络，电容充放电直接影响开关管的开关速度。
R1过小，易引起振荡，会有很大的电磁干扰；
R1过大，会降低开关管的开关速度。
Z1通常将MOS场效应管的GS电压限制在18V以下，从而保护了MOS场效应管。
-
- PMOS场效应管高侧电源开关-电源知识-竟业电子
- PMOS场效应管做高侧开关的电路，CONTROL为控制信号，电平范围为0~VCC。
CONTROL=0V，Vgs<导通阀值，PMOS开通，负载工作。
CONTROL=VCC，Vgs>导通阀值，PMOS关断，负载停机。
注意
输入信号 CONTROL，低电平要保证Vgs能使PMOS场效应管开通，又要限制Vgs不能小于手册上的最小允许电压，以避免PMOS损坏。
MCU或其他控制器电平：3.3V / 5V，电路VCC却要在一个很大的范围内变动。这就导致如果使用I/O口直接驱动的话，PMOS不能关断，并且当VCC较大时，还会损坏MCU的I/O口。
PMOS场效应管做高侧开关，搭配一个小电流的NMOS或者NPN管，来做驱动电平转换。
如下图，NMOS - Q3负责做电平转换，来驱动Q2 - PMOS的开关。
-
- 开关电源控制环路稳定性验证-开关电源知识-竟业电子
- 开关电源环路的频响特性，如果电源的负载特性在某一频率下增益等于1(0dB)且相移量为180°时，电源控制环路将因出现同相正反馈此相移量加原设定180°相移，总相移量为360°，因而有足够能量返回系统，并在此频率下维持振荡。
为避免电源系统出现类似破坏性的不稳定现象，通常情况下，环路控制电路都会采用反馈补偿组件来降低高频端的增益，使得开关电源在预设频率范围内都保持稳定。
-
- MOS场效应管应用于人工智能数据中心的高能效电源-竟业电子
- MOS场效应管应用于人工智能数据中心的高能效电源，在服务器电源设计中，能效和功率密度是重要概念，它们相辅相成。
必须尽可能高效地将来自电网的能量转换为有用功率，减少损耗。
因此，电源拓扑演变到同步整流技术，并在整流器中采用 MOS场效应管取代了损耗较大的二极管。
为了优化能效，必须让所有元器件能效提到最高，尤其转换最重要的MOS场效应管。
-
- MOS场效应管正反向导通电流电压损耗图-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管为单个导通脉，冲电感负载的电压电流波形及产生的损耗示意图。电流和电压的积分值就是产生的损耗，分为通态损耗和开关损耗。如下图E(sat)为通态损耗，Eon和Eoff为开关损耗。MOS场效应管反向导通,反向导通（源漏方向）时，导通方式会根据栅极电压变化。如果栅极施加负压时，电流流过体二极管，如下图所示,当栅极施加正压，超过阈值电压时，电流流过MOS场效应管，如下图
全球现货一站配齐
￥价格透明 控制成本
原厂代理分析授权
闪电发货配货快
