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  • 英飞凌推800V电源架构的热插拔控制器参考板-竟业电子 英飞凌推800V电源架构的热插拔控制器参考板-竟业电子
    英飞凌infineon推出了其48V智能eFuse系列和用于人工智能数据中心400V和800V电源架构的热插拔控制器参考板。这使开发人员能够设计一个可靠、健壮和可扩展的解决方案来保护和监控能量流。 随着其电源保护产品组合的扩展,英飞凌支持当前和未来高功率AI服务器生态系统对电源路径保护解决方案日益增长的需求,范围从48 V到+/-400 V和800 V。智能eFuse以及热插拔控制器技术在高性能计算环境中至关重要,可以实现监控、减少中断并最大限度地延长服务器正常运行时间,这对于最大限度地降低总拥有成本(TCO)变得越来越重要。

    时间:2025/10/17键词:英飞凌infineon

  • 英飞凌推AI数据中心优化电压调节器电源模块-竟业电子 英飞凌推AI数据中心优化电压调节器电源模块-竟业电子
    由于基于云的服务,特别是那些支持人工智能(AI)的服务的快速增长,数据中心现在占全球能源消耗的2%以上。预计这一数字将进一步上升,预计2023年至2030年间将呈指数级增长165%。 因此,不断提高从电网到核心的功率转换的效率、功率密度和信号完整性对于提高计算性能同时降低总拥有成本(TCO)至关重要。为了满足这一需求,英飞凌infineon科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了OptiMOS™TDM22545T双相电源模块,这是业界首款专为高性能AI数据中心设计的互感电压调节器(TLVR)模块

    时间:2025/10/17键词:英飞凌infineon

  • 英飞凌推CoolSiC™ 440 V MOSFET 封装TOLT-竟业电子 英飞凌推CoolSiC™ 440 V MOSFET 封装TOLT-竟业电子
    英飞凌infineon扩展了其CoolSiC™ MOSFETs 400 V G2系列,新增顶面冷却(TSC)TOLT封装以及TO-247-3和TO-247-4封装。此外,还推出了三款采用TOLL封装的新型产品,额定电压分别为440 V(持续)和455 V(瞬态)。

    时间:2025/10/17键词:英飞凌infineon

  • 英飞凌infineonXHP™2 1700 V IGBT 5电源模块-竟业电子 英飞凌infineonXHP™2 1700 V IGBT 5电源模块-竟业电子
    英飞凌infineon和金风科技股份有限公司有限公司扩大了合作,实现了风力发电中稳定可靠的电力流动。英飞凌infineon将为金风提供XHP™2 1700 V IGBT 5电源模块。XT技术将提高金风155-4.5兆瓦风力涡轮机的电网能效。英飞凌的功率模块提供高功率密度、可靠性和鲁棒性,确保风能系统具有较长的使用寿命。通过优化能源效率,它们有助于降低能源成本,提高金风风力涡轮机的盈利能力

    时间:2025/9/23键词:英飞凌infineon

  • 英飞凌推创新数字PDM麦克风实现音频性能能效和稳健性-竟业电子 英飞凌推创新数字PDM麦克风实现音频性能能效和稳健性-竟业电子
    英飞凌infineon扩展XENSIV™MEMS麦克风产品线,提供一流的音频和电源性能 英飞凌infineon推出了IM72D128V和IM69D129F,这两款创新的数字PDM麦克风旨在实现卓越的音频性能、能效和稳健性,从而扩大了其XENSIV™MEMS麦克风阵容。利用英飞凌专有的密封双膜(SDM)技术,这两款麦克风都具有高度的防水防尘性能(IP57),使其适用于要求苛刻的环境。

    时间:2025/9/23键词:英飞凌infineon

  • 英飞凌infineon推出AURIX™TC4x软件实现汽车应用的质量安全和安保-竟业电子 英飞凌infineon推出AURIX™TC4x软件实现汽车应用的质量安全和安保-竟业电子
    英飞凌infineon推出了专门为最新AURIX™TC4x微控制器(MCU)系列设计的全面软件组合。它使汽车安全应用程序能够使用AUTOSAR MCAL和安全软件的生产就绪ASIL D驱动程序。通过减少软件分区、系统级安全论证和简化虚拟控制单元,它加快了上市时间。 该产品组合包括生产级MC-ISAR AUTOSAR MCAL、安全软件(SafeTlib)、复杂设备驱动程序、转换器数字信号处理器(CDSP)库,CDSP是用于信号后处理的专用DSP,以及数据路由软件,可显著降低延迟和CPU负载,实现高速数据传输。

    时间:2025/9/15键词:英飞凌infineon

  • 英飞凌infineon为轻型电动汽车开发高性能氮化镓GaN基逆变器-竟业电子 英飞凌infineon为轻型电动汽车开发高性能氮化镓GaN基逆变器-竟业电子
    英飞凌infineon与凌基签署谅解备忘录,为轻型电动汽车开发高性能氮化镓(GaN)基逆变器 英飞凌和英飞凌的子公司有限公司灵济创新技术有限公司签署了一份谅解备忘录(MoU),以进一步推动氮化镓(GaN)技术在轻型电动汽车(LEV)领域的发展。英飞凌提供优质的GaN产品,支持凌基开发基于英飞凌新一代CoolGaN™G5功率晶体管的高性能电动两轮车逆变器系统,以推动能效和性能的进步。 英飞凌新一代G5 CoolGaN™晶体管为凌基高性能电动两轮车逆变器系统供电

    时间:2025/9/15键词:英飞凌infineon

  • 英飞凌infineon推12 kW高性能电源单元PSU-竟业电子 英飞凌infineon推12 kW高性能电源单元PSU-竟业电子
    英飞凌infineon 12 kW PSU参考设计利用了所有相关的半导体材料硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。 英飞凌infineon发布用于AI数据中心和服务器的12 kW高密度电源单元(PSU)参考设计 英飞凌infineon推出了一种12千瓦的高性能电源单元(PSU)参考设计,专为人工智能数据中心和服务器应用而设计。参考设计提供了高效率和高功率密度,并利用了所有相关的半导体材料硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。它面向电力电子系统的研发工程师、硬件设计师和开发人员。

    时间:2025/9/15键词:英飞凌infineon

  • 英飞凌推PSOC™Control微控制器上后量子密码学-竟业电子 英飞凌推PSOC™Control微控制器上后量子密码学-竟业电子
    英飞凌infineon宣布,其新PSOC™Control C3 Perance Line系列微控制器(MCU)符合商业国家安全算法(CNSA)套件2.0中概述的后量子密码学(PQC)固件保护要求。MCU还支持PSA(平台安全架构)3级合规性。通过符合这两个标准,英飞凌的PSOC Control C3性能系列满足了各种工业应用的安全需求,并简化了它们在PQC时代向更高安全性的过渡。

    时间:2025/8/28键词:英飞凌infineon

  • 英飞凌推75 mΩ工业级CoolSiC™MOSFET 650 V G2-竟业电子 英飞凌推75 mΩ工业级CoolSiC™MOSFET 650 V G2-竟业电子
    英飞凌infineon正在扩大其CoolSiC™MOSFET 650 V G2产品组合,推出新的75 mΩ变体,以满足对更紧凑、更强大系统的需求。这些器件有多种封装选项,包括TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3和TO247-4。因此,该产品系列支持顶侧冷却(TSC)和底侧冷却(BSC)方法,并为开发人员提供了高度的灵活性。 这些设备非常适合不同应用中的高功率和中功率开关电源(SMPS),包括人工智能服务器、可再生能源、电动汽车和电动汽车充电器、人形机器人充电器、电视和驱动器。

    时间:2025/8/28键词:英飞凌infineon

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