英飞凌infineon扩展CoolSiC™产品组合，推出适用于高功率与计算密集型应用的400 V和440 VMOSFET

英飞凌infineon扩展了其CoolSiC™ MOSFETs 400 V G2系列，新增顶面冷却（TSC）TOLT封装以及TO-247-3和TO-247-4封装。此外，还推出了三款采用TOLL封装的新型产品，额定电压分别为440 V（持续）和455 V（瞬态）。

这些新型CoolSiC MOSFETs具备更优的热性能、系统效率和功率密度，专为满足高功率及计算密集型应用需求而设计，包括AI服务器电源、太阳能逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动器和固态断路器。对于这些关键系统，该器件可提供所需的可靠性和性能。

与现有250V和300V电压等级的硅技术相比，CoolSiC G2 400V和440V MOSFET在120°C工作温度下实现了高达50%的导通损耗降低，这得益于其R(DS(on))随结温(Tj)变化的平坦特性。此外，其开关性能指标显著提升，反向恢复电荷至少降低五倍。

在系统层面，采用三级飞跨电容连续导通模式（CCM）推挽式功率因数校正（PFC）的CoolSiC G2 400V和440V MOSFET，与最先进的交错式两级CCM推挽式PFC相比，峰值电源效率提高了0.4个百分点。这相当于在最高效率时系统损耗降低了约15%。

英飞凌infineon CoolSiC™MOSFET 400 V G2产品组合经过专门设计，可满足高功率和计算密集型应用的要求，包括AI服务器电源