英飞凌infineon CoolMOS™8超结MOSFET为LITEON服务器应用中的优化系统性能设定了新标准 英飞凌infineon向电源管理解决方案的领导者LITEON提供其600 V CoolMOS™8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，以在服务器应用中实现卓越的效率和可靠性。600V CoolMOS 8提供了一种一体化解决方案，改进了LITEON的新一代技术，适用于现有和即将推出的服务器应用程序设计。

英飞凌推出适用于汽车和工业电力电子的具有超低RDS（on）的CoolSiC™MOSFET 750 V G2 英飞凌推出了新的CoolSiC™MOSFET 750 V G2技术，旨在提高汽车和工业电源转换应用中的系统效率和功率密度。CoolSiC MOSFET 750 V G2技术提供了一种粒度组合，在25°C下具有高达60 mΩ的典型R DS（on）值，使其适用于广泛的应用，包括车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动汽车辅助设备（xEV）以及电动汽车充电、太阳能逆变器、储能系统、电信和SMPS中的工业应用。

48V系统可实现先进功能，提高乘客舒适度，并通过减少电流和简化线束复杂性来提高效率。此外，一次和二次配电系统的电气化需要更换传统的继电器和保险丝。为了支持这一发展，英飞凌infineon推出了Power PROFET™+24/48V开关系列，该系列专为现代车辆电源系统的要求而开发。 英飞凌infineon Power PROFET+24/48V开关系列采用紧凑的TO无引线封装，包括两种高压侧开关变体：R DS（ON）为3.0 mΩ的BTH50030-1LUA和R DS（OFF）为1.5 mΩ的BT H50015-1LUA，可在大电流应用中实现最小的功率损耗。这些设备非常适合当今汽车电气系统、商用车和混合动力车的苛刻要求，以及下一代电动汽车，它们可以提供更安全、更环保、更舒适的驾驶体验。

英飞凌infineon的600 V CoolMOS™8高压超结（SJ）MOS场效应管产品系列使全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商Enphase Energy能够简化其系统设计并降低组装成本。通过使用600 V CoolMOS 8 SJ，Enphase能够显著降低其太阳能逆变器系统的MOSFET电阻（R DS（on）），从而降低传导损耗，提高整体器件效率并提高功率密度。此外，该公司还实现了MOSFET相关成本的节约。

英飞凌infineon推出新一代高密度电源模块，用于人工智能数据中心的垂直供电（VPD） 全球电力系统和物联网半导体领导者英飞凌infineon推出了下一代高密度电源模块，在实现人工智能和高性能计算方面发挥着关键作用。通过增强系统性能和英飞凌的商标稳健性，新的OptiMOS™TDM2454xx四相电源模块为人工智能数据中心运营商提供了一流的功率密度和总拥有成本（TCO）。

英飞凌infineon宣布，其PSOC™4微控制器（MCU）系列现在具有多感测功能，英飞凌infineon通过新的专有电感传感技术以及非侵入式和非接触式液体传感解决方案扩展了其领先的电容传感技术CAPSENSE™。有了PSOC 4，开发人员现在有了无限的可能性来开发新的HMI和传感解决方案。从带有触摸式金属按钮的时尚金属产品设计，到防水触摸按钮，再到创新的液体传感方式，PSOC 4 Multi-Sense开启了传感的新可能性。

独特的hToF技术使用英飞凌infineon的高分辨率REAL3™ToF传感器，以及均匀的泛光照明和强大的点网格照明，提供了一种经济高效的解决方案。英飞凌infineon为Roborock最先进的机器人吸尘器提供REAL3™飞行时间（ToF）技术与传统系统相比，该技术的尺寸缩小了100倍，为在机器人真空中集成第一个5轴机器人手臂腾出了空间消费者受益于精确敏捷的导航和改进的障碍物识别

英飞凌infineon和Eatron将人工智能电池管理解决方案的合作扩展到工业和消费应用 全球电力系统和物联网半导体领导者英飞凌infineon科和领先的人工智能电池优化软件提供商Eatron将其现有的汽车电池管理解决方案（BMS）合作伙伴关系扩展到包括各种工业和消费应用在内的全面BMS产品组合。 该技术将Eatron的AI驱动BMS软件与英飞凌infineon的组件集成在一起，包括用于电池保护的MOSFET和基于PSOC 6 AI的电池管理系统，以实现最先进的机器学习功能。

英飞凌infineon CoolGaN™功率晶体管使SounDigital能够在较小的放大器系统中达到更高的保真度 尖端音频设备制造商不断寻求提高音质，同时满足对紧凑、轻便、更集成和节能设计日益增长的需求。与此同时，他们必须确保无缝连接、成本效益和用户友好的功能，使音频产品开发比以往任何时候都更加复杂。为了克服这些挑战，SounDigital将英飞凌infineon的CoolGaN™晶体管集成到其新的1500 W D类放大器中，该放大器具有800 kHz的开关频率和五个通道。英飞凌先进的GaN技术使放大器的能效提高了5%，能量损失降低了60%。

氮化镓（GaN）技术在使电力电子设备达到最高性能水平方面发挥着至关重要的作用。然而，到目前为止，GaN供应商对封装类型和尺寸采取了不同的方法，导致客户出现碎片化和缺乏多足迹兼容源。 英飞凌infineon通过宣布RQFN 5x6封装的高性能氮化镓CoolGaN™G3晶体管100 V（IGD015S10S1）和RQFN 3.3x3.3封装的80 V（IGE033S08S1）来应对这一挑战。 英飞凌infineon中压GaN产品线负责人Antoine Jalabert博士表示：新器件与行业标准硅MOSFET封装兼容，满足了客户对标准化占地面积、更容易处理和更快上市时间的需求。