英飞凌推出适用于汽车和工业电力电子的具有超低RDS（on）的CoolSiC™MOSFET 750 V G2
英飞凌推出了新的CoolSiC™MOSFET 750 V G2技术，旨在提高汽车和工业电源转换应用中的系统效率和功率密度。

CoolSiC MOSFET 750 V G2技术提供了一种粒度组合，在25°C下具有高达60 mΩ的典型R DS（on）值，使其适用于广泛的应用，包括车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动汽车辅助设备（xEV）以及电动汽车充电、太阳能逆变器、储能系统、电信和SMPS中的工业应用。

超低R DS（on）值4和7 mΩ在静态开关应用中具有出色的性能，使MOSFET成为eFuse、高压电池隔离开关、固态断路器和固态继电器等应用的完美选择。英飞凌创新的顶部冷却Q-DPAK封装具有同类最佳的最低R DS（on）4 mΩ，旨在提供最佳的热性能和可靠性。

该技术还表现出优异的R DS（on）x Q OSS和同类最佳的R DS[on]x Q fr，有助于降低硬交换和软交换拓扑中的开关损耗，在硬交换用户情况下具有更高的效率。通过减少栅极电荷，该技术可以实现更快的开关并降低栅极驱动损耗，使其在高频应用中更高效。
 

此外，CoolSiC MOSFET 750 V G2提供了高阈值电压V GS（th）和超低Q GD/Q GS比的组合，在25°C下典型值为4.5 V，这增强了对寄生导通（PTO）的鲁棒性。此外，该技术允许扩展栅极驱动能力，支持高达-7V的静态栅极电压和高达-11V的瞬态栅极电压。这种增强的电压容限为工程师提供了更大的设计裕度，并与市场上的其他器件具有最佳兼容性。

CoolSiC 750 V G2具有无与伦比的开关性能、出色的易用性和卓越的可靠性，严格遵守汽车级零件的AEC Q101标准和工业级零件的JEDEC标准。它能够实现更高效、更紧凑、更具成本效益的设计，以满足不断增长的市场需求，并强调其对安全关键汽车应用的可靠性和寿命的承诺。

英飞凌的CoolSiC 750 V G2提供了无与伦比的开关性能，并严格遵守汽车级零件和工业级零件的标准。