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| Parametrics | 2EDS8265H |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 1.63 |
| Channels | 2 |
| Configuration | Half Bridge ; High-side and low-side ; High-side |
| Input Vcc min max | 3 V 3.3 V |
| Input-side supply | 20 V |
| Isolation Type | Galvanic isolation - Reinforced |
| Output Current (Sink) | 8 A |
| Output Current (Source) | 4 A |
| Turn Off Propagation Delay | 37 ns |
| Turn On Propagation Delay | 37 ns |
| VBS UVLO (On) | 8 V |
| VCC UVLO (On) | 2.85 V |
| Voltage Class | 650 V |
快速、稳健、双通道、增强型隔离MOSFET栅极驱动器，定时准确稳定
第八位驾驶员™ 2EDS8265H是一种增强型隔离栅极驱动器，用于SMPS中强制性安全隔离屏障的二次侧控制。强大的4A/8A源/汇双通道栅极驱动器具有非常高的150V/ns CMTI（共模瞬态抗扰度），可与快速CoolMOS进行稳健操作™ 以及高功率开关噪声环境。
37ns的极短传播延迟具有随温度和生产的低变化，这使得电力系统设计能够通过跨越安全隔离屏障的非常严格的定时控制来实现更高的效率。带有1A/2A的2EDS8265H可用于较小的MOSFET或PWM信号/数据去耦，用于使用本地升压驱动器的非常高功率设计。提供符合UL1577、VDE0884-10和IEC62368标准的安全证书。2EDS8265H采用300毫米DSO-16宽体封装。
功能概述
快速切换，定时准确
针对区域和系统BOM进行了优化
对开关噪声具有鲁棒性
输出到输出通道隔离
输入输出通道隔离
优势
效率增益和更低的损耗
在较小的形状因子下改善了热性能
保护和安全操作
灵活的配置
监管安全
系统值
实现更高的系统效率和更高的功率密度设计
提高长期竞争力的成本地位、集成度和大规模可制造性
通过提高电源开关在正常和异常现场（电网）条件下的安全操作来延长最终产品的使用寿命
通过接地隔离、驱动器靠近MOSFET或使用4引脚Kelvin源MOSFET来降低EMI
通过部件（VDE884-x、UL1577和系统（IEC60950、IEC62368）证书简化安全认证
应用
电信DC-DC
服务器
工业开关电源
上升
电池
电动汽车充电
智能电网
