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英飞凌推高密度电源模用于人工智能数据中心垂直供电-竟业电子

   时间:2025/3/11      阅读:158    关键词:英飞凌infineon

 

英飞凌infineon推出新一代高密度电源模块,用于人工智能数据中心的垂直供电(VPD

全球电力系统和物联网半导体领导者英飞凌infineon推出了下一代高密度电源模块,在实现人工智能和高性能计算方面发挥着关键作用。通过增强系统性能和英飞凌的商标稳健性,新的OptiMOSTDM2454xx四相电源模块为人工智能数据中心运营商提供了一流的功率密度和总拥有成本(TCO)。

OptiMOS TDM2454xx四相电源模块实现了真正的垂直功率传输(VPD),并提供了业界最佳的每平方毫米2安培的电流密度。这些模块遵循英飞凌去年推出的OptiMOS TDM2254xDOptiMOS TDM2354xD双相电源模块,并继续为加速计算平台提供卓越的功率密度。在传统的水平功率输送系统中,功率需要穿过半导体晶片的表面,这可能会导致更高的电阻和显著的功率损失。垂直功率传输最大限度地减少了功率需要传输的距离,从而减少了电阻损耗,提高了系统性能。

 

根据国际能源署的数据,数据中心目前占全球能源消耗的2%。在人工智能的推动下,数据中心内的电力需求预计将在2023年至2030年间增长165%。不断提高从电网到核心的功率转换的效率和功率密度,对于在降低TCO的同时进一步提高计算性能至关重要。

 

英飞凌infineon科技公司电源IC副总裁Rakesh Renganathan表示:我们很自豪能够通过OptiMOS TDM2454xx VPD模块扩展我们的高性能AI数据中心解决方案,我们采用三维设计方法,利用我们行业领先的功率器件、封装技术和广泛的系统专业知识,提供高性能和节能的计算解决方案,作为我们推动数字化和脱碳使命的一部分。

 

OptiMOS TDM2454xx模块融合了英飞凌强大的OptiMOS 6沟槽技术、芯片嵌入式封装以实现卓越的电气和热效率,以及创新的低剖面磁性设计,这些设计继续推动VPD系统的性能和质量。此外,OptiMOS TDM2454xx的占地面积旨在实现模块拼接和改善电流流动,从而提高电气、热和机械性能。OptiMOS TDM2454xx模块在四个相位上支持高达280A的电流,在10x9mm²的小尺寸内集成了嵌入式电容器层。结合英飞凌的XDP™控制器,它们提供了一种强大的电源解决方案,提高了系统功率密度。

 

OptiMOS TDM2454xx模块凭借基于所有相关半导体材料的最广泛的产品和技术组合,以最节能的方式为从电网到核心的不同AI服务器配置供电,进一步巩固了英飞凌在市场上的独特地位。

英飞凌推高密度电源模用于人工智能数据中心垂直供电

OptiMOS TDM2454xx四相电源模块实现了真正的垂直功率传输(VPD),并提供了业界最佳的每平方毫米2安培的电流密度。

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