英飞凌infineon与Enphase合作，通过600V CoolMOS™8提高能效并降低MOS场效应管相关成本

英飞凌infineon的600 V CoolMOS™8高压超结（SJ）MOS场效应管产品系列使全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商Enphase Energy能够简化其系统设计并降低组装成本。通过使用600 V CoolMOS 8 SJ，Enphase能够显著降低其太阳能逆变器系统的MOSFET电阻（R DS（on）），从而降低传导损耗，提高整体器件效率并提高功率密度。此外，该公司还实现了MOSFET相关成本的节约。

英飞凌infineon高级副总裁兼总经理Richard Kuncic表示：我们很高兴与Enphase合作，支持他们提供创新太阳能解决方案的使命，我们的600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET旨在提供卓越的效率、可靠性和成本节约，这与Enphase和英飞凌致力于提高可再生能源技术的性能和可负担性，进一步推动脱碳的承诺完全一致。

Enphase Energy高级副总裁兼系统业务部总经理Aaron Gordon表示：与英飞凌的合作使我们能够利用他们的CoolMOS 8 SJ MOS场效应管技术来提高我们微型逆变器系统的性能和成本效益。这种合作关系突显了我们对太阳能行业创新和卓越的承诺，我们对现在能够为客户提供的功率密度和成本节约的显著改善感到兴奋。

英飞凌infineon最新的600 V CoolMOS 8 MOS场效应管在全球高压超结MOSFET技术中处于领先地位，为全球范围内的技术和性价比树立了标准。该技术提高了整体系统性能，并进一步加强了充电器和适配器、太阳能和储能系统、电动汽车充电和不间断电源（UPS）等应用中的脱碳。

CoolMOS 8 SJ MOS场效应管的栅极电荷比CFD7低18%，比P7系列低33%。减少的栅极电荷允许向MOSFET的栅极施加更少的电荷，以将其从关断状态（不导电）切换到导通状态（导电），从而实现更节能的系统性能。此外，CoolMOS 8 SJ MOSFET具有市场上最快的关断时间，与上一代相比，其热性能提高了14%至42%。600 V CoolMOS 8 SJ技术配备了集成快体二极管，并提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin TOLL 8x8封装，使其适用于广泛的消费和工业应用。