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| Parametrics | BSZ075N08NS5 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.53 |
| Ciss | 1600 pF |
| Coss | 280 pF |
| ID (@25°C) max | 73 A |
| IDpuls max | 292 A |
| Mounting | SMD |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 69 W |
| Package | PQFN 3.3 x 3.3 |
| Pin Count | 8 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 24 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 7.5 mΩ |
| Rth | 1.8 K/W |
| RthJA max | 60 K/W |
| RthJC max | 1.8 K/W |
| VDS max | 80 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2.2 V 3.8 V |
行业领先的功率MOSFET技术，适用于电信和服务器应用，采用OptiMOS™ S3O8封装中的5 80V
英飞凌的OptiMOS™ 5 80V工业功率MOSFET BSZ084N08NS5与前几代相比，RDS（导通）降低了43%，非常适合高开关频率。该系列设备是专门为电信和服务器电源中的同步整流而设计的。此外，它们还可以用于其他工业应用，如太阳能、低压驱动器和适配器。
功能概述
针对同步整流进行了优化
非常适合高开关频率
输出电容降低高达44%
RDS（开启）比上一代减少了43%
优势
最高的系统效率
降低了开关和传导损耗
所需并联更少
功率密度增加
低压过冲
应用：电信，服务器，太阳能，低压驱动器，适配器
