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| Parametrics | IPP60R190C6 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 1.48 |
| ID (@25°C) max | 20.2 A |
| ID max | 20.2 A |
| IDpuls max | 59 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min | -55 °C |
| Ptot max | 151 W |
| Package | TO-220 |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 58 nC |
| QG | 58 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 190 mΩ |
| RDS (on) max | 190 mΩ |
| Rth | 0.83 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 0.83 K/W |
| VDS max | 600 V |
| VGS(th) min max | 2.5 V 3.5 V |
CoolMOS™ C6将英飞凌作为领先的超级结MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。C6器件提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
600V CoolMOS™ C6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3
650V CoolMOS™ C6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3
功能概述
轻松控制切换行为
由于优异系数非常低，损耗极低（R DS（on）*Q g和E oss）
非常高的换向坚固性
易于使用
与C3相比，轻载效率更高
卓越的可靠性与久经考验的CoolMOS™ 质量与高体二极管坚固性相结合
与以前的CoolMOS相比，性价比更高™ 代
更高效、更紧凑、更轻、更凉爽
优势
提高了功率密度
提高了可靠性
通用部件可用于软交换拓扑和硬交换拓扑
更高的轻载效率
提高了硬交换应用程序的效率
提高了易用性
减少由于pcb布局和封装寄生效应而可能产生的振铃
应用
消费者
适配器
电动汽车
服务器和电信的PFC阶段
表面活性剂
PC电源
太阳的
照明
