| Parametrics | IPD50P04P4L-11 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.5 |
| ID (@25°C) max | -50 A |
| IDpuls max | -200 A |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot max | 58 W |
| Package | DPAK (PG-TO252-3) |
| Polarity | P |
| QG (typ @10V) max | 45 nC |
| Qualification | Automotive |
| RDS (on) (@10V) max | 10.6 mΩ |
| RthJC max | 2.6 K/W |
| Technology | OptiMOS™-P2 |
| VDS max | -40 V |
| VGS(th) min | -1.2 V ; -2.2 V |
-40V，P通道，10.6米Ω 最大，汽车MOSFET，DPAK，OptiMOS™-OptiMOS™-P2
功能概述
P通道-逻辑电平-增强模式
AEC合格
MSL1最高260°C峰值回流
175°C工作温度
绿色产品（符合RoHS）
100%雪崩测试
用于反向电池保护
优势
高压侧驱动不需要充油泵。
简单接口驱动电路
40V的世界最低RDSon
最高电流能力
开关和传导功率损耗最低，热效率最高
具有卓越质量和可靠性的坚固封装
标准包装TO-252、TO-263、TO-220、TO-262
应用
电机桥用高边MOSFET（半桥、H桥、三相电机）
采用40V P沟道作为高压侧器件，无需电荷泵即可实现桥式配置
