英飞凌infineon推出新的CoolSiC™JFET技术，实现更智能、更快的固态配电

为了实现下一代固态配电系统，英飞凌infineon正在通过新的CoolSiC™JFET产品系列扩大其碳化硅（SiC）产品组合。新器件具有最小的传导损耗、可靠的关断能力和高鲁棒性，使其成为先进固态保护和配电的理想选择。

CoolSiC JFET具有强大的短路能力、线性模式下的热稳定性和精确的过电压控制，可在各种工业和汽车应用中实现可靠高效的系统性能，包括固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔、eFuse、电机软起动器、工业安全继电器和汽车电池隔离开关。

英飞凌infineon科技绿色工业电源部门总裁Peter Wawer博士表示：借助CoolSiC JFET，我们正在满足对更智能、更快、更强大的配电系统日益增长的需求，这种应用驱动的功率半导体技术是专门为我们的客户提供解决这一快速发展领域复杂挑战所需的工具而设计的。我们很自豪能够推出实现一流R DS（ON）的器件，为SiC性能设定了新标准，并重申了英飞凌在宽带隙技术领域的领导地位。

第一代CoolSiC JFET具有超低R DS（ON）特性，从1.5 mΩ（750 V BDss）和2.3 mΩ（1200 V BDs）开始，显著降低了传导损耗。体沟道优化的SiC JFET在短路和雪崩故障条件下具有很高的鲁棒性。这些器件采用Q-DPAK顶侧冷却封装，支持轻松并联和可扩展的电流处理，使紧凑型大功率系统具有灵活的布局和集成选项。它们在热应力、过载和故障条件下的可预测开关行为在连续运行中提供了最大的长期可靠性。

为了应对恶劣应用环境的热和机械挑战，CoolSiC JFET利用了英飞凌的先进技术。采用扩散焊接的XT互连技术。这显著提高了工业电力系统在脉冲和循环负载下的瞬态热阻抗和鲁棒性。这些器件在固态电源开关的实际操作条件下经过测试和认证，并基于行业标准Q-DPAK封装，可在工业和汽车应用中实现快速无缝的设计集成。

为了实现下一代固态配电系统，英飞凌infineon正在通过新的CoolSiC™JFET产品系列扩展其SiC产品组合。