英飞凌infineon宣布，其AIROC™CYW20829 Bluetooth®LE微控制器（MCU）和软件开发工具包（SDK）现已通过验证，成为英特尔®Evo™笔记本电脑配件工程计划的一部分，这是蓝牙®人机界面设备（HID）行业中的第一个此类计划。通过与英特尔的合作，开发下一代HID设备的供应商可以放心地使用CYW20829“抛弃加密狗”。有了这个新的解决方案，设计人员可以实现一流的直接到主机连接，该连接已经过英特尔严格的KPI和体验要求的严格测试。

在电池包两端加负载放电时，电流（方向如箭头所示）与充电是相反，放电时，控制IC X1同样会时刻监测第5脚VDD和第6脚VSS之间的电压。 当这个电压小于等于过放截止电压且达到过放电压的延时时间，控制IC X1会通过第1脚关闭Q1，Q1被关闭之后，放电回路被切断，Q1的体二极管D1是反向截止，此时，电池只能充电。 过放保护解除条件： 拿掉负载，给电池包充电，当VM-VDD之间的电压达到过放恢复电压值时，控制IC X1会重新打开MOS管Q1。

英飞凌infineon与UL Solutions合作，推进汽车安全，帮助原始设备制造商实现ISO 26262合规性。 英飞凌infineon与UL Solutions（NYSE:ULS）建立合作伙伴关系，以加快英飞凌汽车客户实施ISO 26262功能安全合规性。ISO 26262是功能安全的国际标准，提供了一种管理和降低与汽车安全应用电气和电子系统集成相关的安全风险的过程，这对可靠的连接、电动汽车和更高水平的自动驾驶至关重要。

英飞凌infineon作为领先的集成器件制造商（IDM）在300毫米GaN制造路线图上取得进展 随着对氮化镓（GaN）半导体的需求持续增长，英飞凌infineon准备利用这一趋势，巩固其作为GaN市场领先的集成器件制造商（IDM）的地位。公司宣布，其在300毫米晶圆上的可扩展GaN制造正在按计划进行。截至2025年第四季度，英飞凌将向客户提供首批样品，这为扩大客户群和巩固其作为领先的GaN巨头的地位做好了充分准备。

英飞凌infineon配备Integrity Guard的100亿芯片交付——这一里程碑证明了英飞凌在安全领域的领导地位,英飞凌infineon互联安全系统认证和身份解决方案高级副总裁兼产品线经理Maurizio Skerlj表示：随着超过100亿个配备Integrity Guard的安全控制器的出货，我们的安全架构在统计上覆盖了整个地球人口。强大的安全控制器的价值现在比以往任何时候都更加明显。我们面临着全球网络攻击的迅速增加，再加上数字化的不断扩大，为网络犯罪分子开辟了新的途径，以及欧盟《网络弹性法案》等监管框架的收紧。所有这些都突显了对先进、安全解决方案的迫切需求。这正是我们Integrity Guard 32家族的新成员TEGRION SLC27G介入的地方。

英飞凌infineon 通过SECORA™ID V2和eID OS扩展了政府ID产品组合，以提高灵活性和缩短上市时间，英飞凌infineon互联安全系统认证和身份解决方案高级副总裁兼产品线经理Maurizio Skerlj表示：我们广泛的解决方案是对客户及其在身份识别项目领域的个人、本地要求的明确承诺。凭借我们的一体化解决方案，包括我们的线圈模块技术和天线设计支持等创新包装选项，我们使客户能够更快地将产品推向市场，开发出满足其特定要求的灵活解决方案，并实现新的应用。

英飞凌infineon推出新的抗辐射GaN晶体管，包括首批DLA JANS认证的GaN器件之一 英飞凌infineon基于其经过验证的CoolGan™技术，英飞凌infineon自己的铸造厂制造了新系列抗辐射氮化镓（GaN）晶体管中的第一个。该公司的新产品专为在恶劣的太空环境中运行而设计，是第一款获得美国国防后勤局（DLA）为陆军-海军-航天联合规范MIL-PRF-19500/794指定的最高质量可靠性认证的内部制造的GaN晶体管。

R2平台将使用英飞凌infineon  HybridPACK™Drive G2系列的碳化硅（SiC）和硅（Si）模块。预计供应将于2026年开始。此外，英飞凌infineon 还将为该平台提供其他产品，包括AURIX™TC3x微控制器和电源管理IC。英飞凌infineon 汽车部门高压模块产品线负责人Stefan Obersriebnig表示：我们致力于与Rivian等创新汽车公司共同提高电动汽车的性能和续航里程，我们对创新和零缺陷质量的执着使我们成为汽车行业的首选合作伙伴。凭借我们广泛的产品组合、系统专业知识和制造能力，我们是实现零排放、可持续出行的关键推动者。

英飞凌infineon和伟世通将合作并集成基于英飞凌infineon半导体的功率转换器件，特别强调宽带间隙器件技术，与硅基半导体相比，这些技术在功率转换应用中具有显著优势。这些器件包括更高的功率密度、效率和热性能，这有助于提高汽车行业下一代功率转换模块的效率并降低系统成本。

加速电动汽车的采用和工业效率：英飞凌infineon的SiC超级结技术设定了新的标准 英飞凌infineon一直是碳化硅（SiC）功率器件和SiC MOSFET沟槽技术市场引入的先驱，将卓越的性能与高鲁棒性相结合。如今，CoolSiC™产品的电压范围从400 V到3.3 kV，涵盖了广泛的应用，包括汽车传动系统、电动汽车充电、太阳能系统、储能和大功率牵引逆变器。英飞凌infineon在SiC业务发展方面有着良好的记录，并利用其作为硅电荷补偿器件（CoolMOS™）创新者的地位，现在推出了一种基于沟槽的SiC超结（TSJ）技术概念。