加速电动汽车的采用和工业效率：英飞凌infineon的SiC超级结技术设定了新的标准
英飞凌infineon一直是碳化硅（SiC）功率器件和SiC MOSFET沟槽技术市场引入的先驱，将卓越的性能与高鲁棒性相结合。如今，CoolSiC™产品的电压范围从400 V到3.3 kV，涵盖了广泛的应用，包括汽车传动系统、电动汽车充电、太阳能系统、储能和大功率牵引逆变器。英飞凌infineon在SiC业务发展方面有着良好的记录，并利用其作为硅电荷补偿器件（CoolMOS™）创新者的地位，现在推出了一种基于沟槽的SiC超结（TSJ）技术概念。

英飞凌infineon绿色工业电源部门总裁Peter Wawer表示：随着TSJ概念的引入，我们正在显著扩大碳化硅的技术能力，沟槽和超结技术的结合实现了更高的效率和更紧凑的设计，这对于需要最高性能和可靠性的应用来说是重要的一步。

英飞凌infineon致力于利用SiC TSJ技术逐步扩大其CoolSiC产品组合。此次扩展将涵盖各种封装类型，包括分立、模制和基于框架的模块，以及裸片。扩展的产品组合将满足广泛的应用需求，既针对汽车行业，也针对工业领域。

基于这项新技术的第一批产品将是英飞凌ID-PAK的1200 V，用于汽车牵引逆变器，并结合了沟槽技术和超结设计的优势，利用英飞凌infineon在SiC和硅基超结技术（CoolMOS）方面超过25年的经验。这种可扩展的封装平台支持高达800千瓦的功率水平，实现了高度的系统灵活性。该技术的主要优点包括通过将R DS（on）*A提高40%来提高功率密度，从而在给定的功率等级内实现更紧凑的设计。此外，ID-PAK中的1200 V SiC沟槽超结概念使主逆变器的电流能力提高了25%，而不会影响短路能力。

这一进步还提高了整体系统性能，提高了能源效率，降低了冷却要求，并为要求苛刻的汽车和工业应用提供了更高的可靠性。此外，该系统受益于减少的并行化要求，这简化了设计过程并降低了整体系统成本。凭借这些创新，配备SiC TSJ技术的英飞凌ID-PAK封装有助于为汽车应用开发更高效、更具成本效益的牵引逆变器设计。

英飞凌汽车部门总裁Peter Schiefer表示：作为全球汽车半导体领域的领军企业，英飞凌infineon引领创新步伐，帮助在汽车技术进步和可持续出行之间架起桥梁，我们新的基于沟槽的SiC超级结技术为电动汽车传动系统带来了更多价值，实现了更高的效率和系统设计的简单性。

作为早期客户，现代汽车公司的开发团队将采用英飞凌的沟槽超级结技术，利用其优势增强其电动汽车产品。这种合作关系有望推动更高效、更紧凑的电动汽车传动系统的发展。