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- 开关电源中热回路ESL与MOSFET关系-MOSFET知识-竟业电子
- 热回路PCB模型：
(a) 5mm * 6mm MOSFET，直线布置
(b) 5mm* 6mm MOSFET，以90°形状布置；
(c) 5mm* 6mm MOSFET，以180°形状布置；
(d) 两个并联的3.3mm * 3.3mm MOSFET，以90°形状布置；
(e) 两个并联的3.3mm * 3.3mm MOSFET，以90°形状布置，带有接地层；
(f) 对称的3.3mm * 3.3mm MOSFET，位于顶层和底层，以90°形状布置。
下表对于不同器件形状和位置，使用FastHenry提取的热回路PCB ESR和ESL，(a)至(c)展示：三种常见功率FET布置，其中采用5mm × 6mm MOSFET。热回路的物理长度决定了寄生阻抗。
与(a)相比，情况(b)中的90°形状布置和情况(c)中的180°形状布置的回路路径更短，导致ESR降低60%，ESL降低80%。由于90°形状布置显示出了优势，可基于情况(b)研究更多情况，以进一步降低回路ESR和ESL。
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- 使用MOSFET作为开关的电路案例-MOSFET知识-竟业电子
- 在这种电路布置中，增强模式N沟道MOSFET用于切换简单的灯“ON”和“OFF”也可以是LED，
栅极输入电压VGS被取为适当的正电压电平，以使器件和灯负载“开启”（VGS=+ve）或处于使器件“关闭”（VGS=0V）的零电压电平。
如果灯的电阻负载被电感负载（如线圈、螺线管或继电器）取代，则需要与负载并联的“飞轮二极管”，以保护MOSFET免受任何自行产生的反电动势的影响。
上面显示了一个用于切换电阻负载（如灯或LED）的非常简单的电路。但是，当使用功率MOSFET来切换电感或电容负载时，需要某种形式的保护来防止MOSFET器件损坏。驱动电感性负载具有与驱动电容性负载相反的效果
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- MOSFET中的PMOS与NMOS示意图及电路分析-竟业电子
- 此外，MOSFET与BJT的不同之处在于，栅极和沟道之间没有直接连接，不像BJT的基极-发射极结，因为金属栅电极与导电沟道电绝缘，因此其次要名称为绝缘栅场效应晶体管（insulated gate Field Effect Transistor，简称IGFET）。
我们可以看到，对于n沟道MOSFET（NMOS），衬底上方的半导体材料是p型，而源极和漏极是n型。电源电压将为正。将栅极端子偏置为正将栅极区域下方的p型半导体衬底内的电子吸引向它。
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- MOS场效应管开关电中寄生路二极管解决方案优劣势-竟业电子
- MOS场效应管开关电路缺点
因MOS场效应管有一个寄生的二极管，如果CD5V的滤波电容过大，或者后端有别的电压串进来，会把前端给烧坏！
电流路径如下：
后端电流路径
解决方案
1.在后端串联二极管
防止后端电压电流串扰的电路
优势：电路简单+成本低
劣势：二极管动态负载电阻大，特别不适合后盾负载变化大的
2.后端串联一个同规格的MOS场效应管
防止后端电压电流串扰的电路
优势：MOS场效应管开通电阻极小，对于
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- 可调结型场效应管恒流源-结型场效应管知识-竟业电子
- 然而，为了确保通过场效应管器件的良好电流调节，从而确保更稳定的电流流动，最好将流过LED的最大沟道电流（在本例中为15mA）限制在JFET IDSS值的10%和50%之间。
使用MOSFET创建恒流源可以获得更大的沟道电流和更好的电流调节，并且与仅作为常开断开模式器件可用的结型场效应管不同。
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- 电源模块中输出滤波电容过大，导致模块异常-竟业电子
- 电源模块输出端通常推荐增加一定的滤波电容，但在使用过程中，由于认识不足等原因，使用了过大的输出滤波电容，既增加了成本又降低了系统的稳定性。
容性负载过大如下图路a
一个电容3W的模块
输出使用2000uF
查阅产品手册，模块最大输出电容为800uF
输出电容过大可能导致启动不良
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- N沟道增强型MOS场效应管工作状态分析-MOS场效应管知识-竟业电子
- 1VGS对ID及沟道的控制作用
VGS=0
(a)图，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。
当栅——源电压VGS=0时，即使加上漏——源电压VDS，而且不论VDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道
此时漏极电流ID≈0
VGS>0
若VGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。
排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。
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- MOS管栅源下拉电阻泻放电阻动态示意图-MOS管知识-竟业电子
- MOS管面对电压时非常敏感，因为它是电压驱动
G极悬空，可能会受到外部干扰致使管子导通。
外部干扰信号对G极-S极结电容充电
此电荷，虽然非常的小，但是它可以储存相当长的时间。
非常的危险在G极悬空，如果在试验中要注意，可能会导致管子爆掉。
解决方案
G极接下拉电阻，即栅极电阻。
作用：旁路干扰信号不直通
此电阻阻值：10~20K
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- 场效应管一种功放电路原理图分析-场效应管知识-竟业电子
- 全对称OCL功放电路组成：场效应管，虽然在其上产生的负反馈有类似于晶体管的射极电阻的保护作用，但对MOS功放管来说，因它的漏极电流本身具有负温度系数的特点，不接源极电阻也无多大关系。
此放大器在交流负反馈电路中没有使用电阻，而采用了电容交流负反馈电路。
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