场效应管一种功放电路原理图分析-场效应管知识-竟业电子

   时间:2024/3/7      阅读:1106   关键词:场效应管

全对称OCL功放电路组成:场效应管

全对称OCL功放电路组成:场效应管

VTiVT4组成全对称双差分输入级,它具有极高的共模抑制比o

VTs. VT6构成FET有源负载型推挽式电压放大级,具有很高的电压放大倍数。

VT7VT8组成互补推挽式功率放大输出毁,在它们的栅极所接的1000电阻为栅极

限流电阻。

源极所接的1 - Sfl电阻用作调试时测试静态电流之用。

虽然在其上产生的负反馈有类似于晶体管的射极电阻的保护作用,但对MOS功放管来说,因它的漏极电流本身具有负温度系数的特点,不接源极电阻也无多大关系。

此放大器在交流负反馈电路中没有使用电阻,而采用了电容交流负反馈电路。

优点:改善音质

1200pFO,OliuF电容的分压比决定放大器增益

约为9-3o若将o-ol心改为O,1plF,则增益接近100倍。

 

调节RPz可以调节输出中点电压,调节剐)3可以调节输出管的静态电流,本机静态

电流为10mAo

 

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