MOS管面对电压时非常敏感，因为它是电压驱动

G极悬空，可能会受到外部干扰致使管子导通。

 

外部干扰信号对G极-S极结电容充电

此电荷，虽然非常的小，但是它可以储存相当长的时间。

 

非常的危险在G极悬空，如果在试验中要注意，可能会导致MOS管爆掉。

 

解决方案

G极接下拉电阻，即栅极电阻。

作用：旁路干扰信号不直通

此电阻阻值：10~20K

 

作用

泻放电阻+为场效应管提供偏置电压

 

泻放电阻

保护栅极G~源极S

场效应管的G-S间阻值非常的大

如果哪怕很少的静电，G-S间等效电容两端，即会产生高电压

 

此处的静电，要泻放掉

如果没有，那么两端高压，使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极。