SiC MOS场效应管 的最大特点是原理上不会产生如IGBT中经常见到的尾电流。

SiC 即使在1200V 以上的耐压值时也可以采用快速的MOS场效应管结构，所以，与IGBT 相比，Turn‐off 损耗（Eoff）可以减少约90%，有利于电路的节能和散热设备的简化、小型化。

而且，IGBT 的尾电流会随着温度的升高而增大，而SiC‐MOS场效应管 几乎不受温度的影响。另外，由于较大的开关损耗引起的发热会致使结点温度（Tj）超过额定值，所以IGBT 通常不能在20KHz 以上的高频区域内使用，

SiC MOSFET 由于Eoff 很小，所以可以进行50KHz 以上的高频开关动作。

通过高频化，可以使滤波器等被动器件小型化。