请注意，双极结晶体管和FET之间的基本区别在于，BJT的端子标记为集电极、发射极和基极，而MOSFET的端子分别标记为漏极、源极和栅极。

此外，MOSFET与BJT的不同之处在于，栅极和沟道之间没有直接连接，不像BJT的基极-发射极结，因为金属栅电极与导电沟道电绝缘，因此其次要名称为绝缘栅场效应晶体管（insulated gate Field Effect Transistor，简称IGFET）。

我们可以看到，对于n沟道MOSFET（NMOS），衬底上方的半导体材料是p型，而源极和漏极是n型。电源电压将为正。将栅极端子偏置为正将栅极区域下方的p型半导体衬底内的电子吸引向它。

p型衬底内自由电子的这种过多导致导电沟道随着p型区域的电学性质反转而出现或生长，从而有效地将p型衬底改变为允许沟道电流流动的n型材料。

p沟道MOSFET（PMOS）也是如此，其中负栅极电势导致在栅极区域下方形成空穴，因为它们被金属栅极电极外侧的电子吸引。结果是，n型衬底形成了p型导电沟道。

因此，对于n型MOS晶体管，在栅极上施加的正电势越多，栅极区域周围的电子积聚就越大，导电沟道就越宽。这增强了通过沟道的电子流，允许更多的沟道电流从漏极流到源极，这导致了增强MOSFET的名称。